| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-25页 |
| 第一章 绪论 | 第25-35页 |
| ·宽带隙氮化镓材料的研究意义 | 第25-26页 |
| ·铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管和集成电路的研究历程和进展 | 第26-32页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第32-35页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT异质结基本原理和增强型器件 | 第35-49页 |
| ·AlGaN/GaN异质结基本原理 | 第35-40页 |
| ·GaN材料的极化效应和二维电子气的形成 | 第35-38页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件原理和几个重要器件参数 | 第38-40页 |
| ·N_2O等离子体处理薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT器件研制 | 第40-47页 |
| ·器件工艺设计和制备 | 第41-43页 |
| ·实验结果和讨论 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT栅极导电机理研究 | 第49-77页 |
| ·高栅漏偏置下栅极漏电机理 | 第50-62页 |
| ·区分边缘漏电和面积漏电 | 第51-55页 |
| ·栅边缘漏电分析及电场分布计算 | 第55-59页 |
| ·高偏置栅极反向漏电机理 | 第59-62页 |
| ·F等离子体注入及常规HEMT栅极正向导电机理 | 第62-69页 |
| ·正向HEMT结构肖特基二极管测试结果和分析 | 第62-65页 |
| ·正向HEMT肖特基陷阱辅助隧穿模型计算 | 第65-69页 |
| ·表面漏电机理研究 | 第69-75页 |
| ·测试结构设计和实验 | 第70-72页 |
| ·表面漏电导电机理分析 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第四章 大偏置下的Ni-AlGaN肖特基二极管特性 | 第77-103页 |
| ·大偏置下Ni-AlGaN/GaN肖特基二极管研究 | 第77-85页 |
| ·实际使用的Ni-AlGaN/GaN肖特基二极管结构 | 第77-79页 |
| ·Ni-AlGaN/GaN二极管大偏置下特性 | 第79-83页 |
| ·从内建势计算肖特基势垒高度 | 第83-85页 |
| ·大偏置下Ni-AlGaN/GaN肖特基结应力实验 | 第85-96页 |
| ·反向高应力实验 | 第85-91页 |
| ·正向高应力实验 | 第91-96页 |
| ·正反向脉冲NI-AlGaN/GaN肖特基二极管应力实验 | 第96-100页 |
| ·本章小结 | 第100-103页 |
| 第五章 GaN基E/D模电路设计 | 第103-119页 |
| ·GaN基E/D模SRAM电路和电平转换电路拓构设计 | 第104-107页 |
| ·GaN基SRAM电路设计 | 第104-105页 |
| ·GaN基E/D模电平转换电路设计 | 第105-107页 |
| ·GaN基E/D模SRAM电路和电平转换电路仿真 | 第107-114页 |
| ·GaN基HEMT器件仿真 | 第107-111页 |
| ·GaN基E/D模电路仿真 | 第111-114页 |
| ·GaN基E/D模SRAM电路和电平转化电路的版图设计 | 第114-117页 |
| ·SRAM单元电路版图设计 | 第114-115页 |
| ·电平转换电路的版图设计 | 第115-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 第六章 GaN基E/D模电路的制备和测试分析 | 第119-139页 |
| ·GaN基E/D模集成电路的制备 | 第119-125页 |
| ·GaN基E/D模电路的测试与分析 | 第125-137页 |
| ·在片增强型和耗尽型分立器件直流特性和反向器特性 | 第125-127页 |
| ·SRAM单元电路测试 | 第127-129页 |
| ·电平转换电路测试 | 第129-134页 |
| ·电平转换电路温度测试 | 第134-137页 |
| ·本章小结 | 第137-139页 |
| 第七章 总结与展望 | 第139-143页 |
| ·本论文主要研究结论和总结 | 第139-141页 |
| ·未来工作展望 | 第141-143页 |
| 参考文献 | 第143-151页 |
| 致谢 | 第151-153页 |
| 作者简介 | 第153-155页 |
