| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-40页 |
| ·研究背景和意义 | 第20-22页 |
| ·国内外研究现状和趋势 | 第22-35页 |
| ·国外研究现状 | 第24-31页 |
| ·国内研究现状 | 第31-34页 |
| ·国内外研究发展趋势 | 第34-35页 |
| ·论文研究思路和内容安排 | 第35-40页 |
| ·研究对象与方法 | 第35-38页 |
| ·主要研究内容及安排 | 第38-40页 |
| 第二章 电子系统HPM效应理论基础 | 第40-56页 |
| ·HPM技术概述 | 第41-48页 |
| ·HPM源及产生技术 | 第41-43页 |
| ·HPM发射与传输技术 | 第43-44页 |
| ·HPM效应及防护技术 | 第44-48页 |
| ·电子系统HPM效应及分类 | 第48-51页 |
| ·HPM与电子系统的耦合作用 | 第48页 |
| ·电子系统HPM效应分类 | 第48-51页 |
| ·常见微电子元器件HPM效应机理 | 第51-54页 |
| ·金属化损伤 | 第51-52页 |
| ·结二次击穿 | 第52-53页 |
| ·介质层击穿 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 CMOS反相器的HPM扰乱和损伤效应及机理 | 第56-76页 |
| ·CMOS反相器基本理论 | 第56-59页 |
| ·CMOS反相器基本结构 | 第56-57页 |
| ·CMOS反相器工作原理和特性 | 第57-59页 |
| ·HPM效应仿真模型构建 | 第59-68页 |
| ·仿真工具 | 第59-60页 |
| ·HPM信号模型 | 第60-63页 |
| ·物理模型 | 第63-68页 |
| ·仿真结果与分析 | 第68-75页 |
| ·CMOS反相器静态工作特性 | 第68页 |
| ·HPM扰乱效应与电源电流特性 | 第68-70页 |
| ·HPM热效应与直接损伤效应 | 第70-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 CMOS反相器HPM扰乱效应的影响因素研究 | 第76-100页 |
| ·温度对CMOS反相器HPM扰乱效应的影响 | 第76-80页 |
| ·环境温度的影响 | 第76-78页 |
| ·温度分布的影响 | 第78-80页 |
| ·CMOS反相器的HPM扰乱脉宽效应 | 第80-88页 |
| ·脉宽效应解析模型构建 | 第81-84页 |
| ·HPM扰乱脉宽效应仿真 | 第84-85页 |
| ·脉宽效应解析模型验证 | 第85-88页 |
| ·HPM频率对CMOS反相器扰乱效应的影响 | 第88-95页 |
| ·考虑频率影响的解析模型构建 | 第88-90页 |
| ·频率影响的仿真研究与模型验证 | 第90-95页 |
| ·器件结构参数LB对HPM扰乱效应的影响 | 第95-97页 |
| ·LB对HPM扰乱脉宽效应的影响 | 第95-96页 |
| ·不同HPM频率下LB对扰乱效应的影响 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-100页 |
| 第五章 GaAs HEMT的HPM损伤和退化效应及机理 | 第100-116页 |
| ·GaAs HEMT基本结构与特性 | 第100-103页 |
| ·GaAs材料特性 | 第100-102页 |
| ·GaAs HEMT基本结构及工作原理 | 第102-103页 |
| ·GaAs HEMT仿真模型构建 | 第103-105页 |
| ·本文仿真器件结构 | 第103-104页 |
| ·物理模型及参数修正 | 第104-105页 |
| ·注入信号及边界条件 | 第105页 |
| ·GaAs HEMT基本特性仿真 | 第105-106页 |
| ·GaAs HEMT的HPM效应仿真分析 | 第106-114页 |
| ·GaAs HEMT的HPM损伤效应仿真及机理分析 | 第107-110页 |
| ·GaAs HEMT的HPM退化效应仿真及机理分析 | 第110-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第六章 GaAs HEMT低噪放HPM效应实验研究 | 第116-132页 |
| ·实验方案 | 第116-121页 |
| ·HPM效应实验方法 | 第116-117页 |
| ·实验平台搭建 | 第117页 |
| ·实验样品描述 | 第117-119页 |
| ·实验流程 | 第119-121页 |
| ·实验结果与讨论 | 第121-125页 |
| ·LNA频率特性变化 | 第121-123页 |
| ·HPM损伤和退化脉宽效应 | 第123-125页 |
| ·样品失效分析 | 第125-129页 |
| ·损伤样品失效分析 | 第125-128页 |
| ·退化样品失效分析 | 第128-129页 |
| ·本章小结 | 第129-132页 |
| 第七章 总结与展望 | 第132-136页 |
| ·本文总结 | 第132-134页 |
| ·工作展望 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-148页 |
| 致谢 | 第148-150页 |
| 作者简介 | 第150-153页 |
