| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·ESD产生机理 | 第8-9页 |
| ·ESD防护原理及要求 | 第9-10页 |
| ·常用ESD防护器件 | 第10-14页 |
| ·二极管 | 第11-12页 |
| ·三极管 | 第12页 |
| ·MOS管 | 第12-13页 |
| ·SCR器件 | 第13-14页 |
| ·LDMOS器件ESD防护原理及研究进展 | 第14-18页 |
| ·LDMOS器件ESD防护原理 | 第14-15页 |
| ·国内外研究进展 | 第15-18页 |
| ·本文的主要内容与工作 | 第18-20页 |
| 第二章 ESD测试、仿真物理模型及工艺影响 | 第20-32页 |
| ·ESD测试模型 | 第20-25页 |
| ·人体模型 | 第20-21页 |
| ·机器模型 | 第21-22页 |
| ·组件充电模型 | 第22-24页 |
| ·传输线脉冲模型 | 第24-25页 |
| ·ESD测试失效判定 | 第25-26页 |
| ·ESD器件失效机制 | 第25页 |
| ·ESD器件失效判定 | 第25-26页 |
| ·ESD器件仿真物理模型选择 | 第26-30页 |
| ·工艺影响 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 降低表面电流LDMOS器件结构与特性 | 第32-43页 |
| ·表面电流对LDMOS器件ESD鲁棒性影响 | 第32-35页 |
| ·降低表面电流LDMOS器件结构设计 | 第35-37页 |
| ·降低表面电流LDMOS器件仿真分析 | 第37-42页 |
| ·埋层浓度分析 | 第38-39页 |
| ·埋层深度分析 | 第39-41页 |
| ·导通状态及失效分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 PN结辅助触发SCR-LDMOS结构与特性 | 第43-57页 |
| ·传统SCR-LDMOS器件ESD失效分析 | 第43-45页 |
| ·PN结辅助触发SCR-LDMOS器件结构设计 | 第45-50页 |
| ·PN结辅助触发SCR-LDMOS器件结构 | 第45-46页 |
| ·PN结辅助触发SCR-LDMOS器件原理分析 | 第46-50页 |
| ·PN结辅助触发SCR-LDMOS器件仿真分析 | 第50-56页 |
| ·沟道长度分析 | 第51-52页 |
| ·漂移区长度分析 | 第52-53页 |
| ·P区位置分析 | 第53-54页 |
| ·导通状态及失效分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第62-63页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第63-64页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |