| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 氮化镓材料特性 | 第9-11页 |
| 1.2 氮化镓功率器件产业现状 | 第11-15页 |
| 1.3 本论文主要的研究内容和工作 | 第15-16页 |
| 第2章 增强型AIGaN/GaN HEMT研究现状 | 第16-36页 |
| 2.1 增强型AlGaN/GaN HEMT主要实现方法 | 第16-29页 |
| 2.2 P型栅极AlGaN/GaN HEMT可靠性研究进展 | 第29-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第3章 P型栅极AlGaN/GaN HEMT可靠性测试 | 第36-54页 |
| 3.1 P型栅极AlGaN/GaN HEMT栅压应力下沟道调制研究 | 第36-48页 |
| 3.2 P型栅极AlGaN/GaN HEMT栅压应力下性能退化研究 | 第48-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第4章 论文结论与研究展望 | 第54-56页 |
| 4.1 论文结论 | 第54-55页 |
| 4.2 研究展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士期间论文与专利成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |