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氮化镓基高电子迁移率晶体管电学可靠性研究

摘要第3-5页
Abstract第5-7页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 研究背景与意义第10-12页
        1.1.1 GaN用于微波功率器件的优势第10-11页
        1.1.2 GaN基HEMT的发展历程第11-12页
    1.2 国内外研究现状及发展趋势第12-17页
        1.2.1 GaN基HEM的可靠性问题第12-15页
        1.2.2 GaN基HEMT可靠性问题研究进展第15-17页
    1.3 论文的主要研究内容、创新点及组织结构第17-20页
第二章 器件的制备与测试第20-32页
    2.1 GaN基HEMT的结构特性第20-21页
        2.1.1 2DEG形成机制第20页
        2.1.2 HEMT工作原理第20-21页
    2.2 GaN基HEMT的制备第21-26页
        2.2.1 异质结材料的生长第21-23页
        2.2.2 HEMT制备工艺第23-25页
        2.2.3 光刻版的设计第25-26页
        2.2.4 电极结构的形成第26页
    2.3 GaN基HEMT的测试第26-31页
        2.3.1 常用测试技术第26-29页
        2.3.2 器件基本特性测试第29-31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 GaN基HEMT的肖特基特性研究第32-45页
    3.1 2DEG密度第32-33页
    3.2 开启电压第33-35页
    3.3 击穿电压第35-37页
    3.4 正向电流传输机制第37-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第四章 GaN基HEMT的电容特性研究第45-55页
    4.1 CV法表征异质结界面态缺陷第46-50页
        4.1.1 平行电导法第46-48页
        4.1.2 晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT界面态缺陷第48页
        4.1.3 AlGaN/GaN HEMT界面态缺陷第48-50页
    4.2 积累区电容频率散射机制第50-54页
        4.2.1 晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT电容散射第50-54页
        4.2.2 AlGaN/GaN HEMT电容散射第54页
    4.3 本章小结第54-55页
第五章 GaN基HEMT的栅漏电流传输机制研究第55-66页
    5.1 漏电流传输机制第55-64页
        5.1.1 FP发射模型第55-56页
        5.1.2 Fowler-Nordheim隧穿模型第56-57页
        5.1.3 AlGaN/GaN HEMT栅漏电流传输机制第57-61页
        5.1.4 晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT栅漏电流传输机制第61-64页
    5.2 零栅压下的电流平衡第64-65页
    5.3 本章小结第65-66页
第六章 GaN基HEMT的栅漏电流退化机制研究第66-84页
    6.1 GaN基HEMT栅漏电流退化第66-74页
        6.1.1 反向栅应力下AlGaN/GaN肖特基二极管漏电流退化第66-71页
        6.1.2 反向栅应力下晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN肖特基二极管漏电流退化第71-74页
    6.2 GaN基肖特基二极管漏电流退化第74-80页
    6.3 热电子诱发晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT退化第80-83页
    6.4 本章小结第83-84页
第七章 总结与展望第84-87页
    7.1 总结第84-85页
    7.2 展望第85-87页
致谢第87-89页
参考文献第89-96页
附录:作者在攻读博士学位期间发表的论文和申请的专利第96-97页

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