| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.1.1 GaN用于微波功率器件的优势 | 第10-11页 |
| 1.1.2 GaN基HEMT的发展历程 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展趋势 | 第12-17页 |
| 1.2.1 GaN基HEM的可靠性问题 | 第12-15页 |
| 1.2.2 GaN基HEMT可靠性问题研究进展 | 第15-17页 |
| 1.3 论文的主要研究内容、创新点及组织结构 | 第17-20页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第20-32页 |
| 2.1 GaN基HEMT的结构特性 | 第20-21页 |
| 2.1.1 2DEG形成机制 | 第20页 |
| 2.1.2 HEMT工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 GaN基HEMT的制备 | 第21-26页 |
| 2.2.1 异质结材料的生长 | 第21-23页 |
| 2.2.2 HEMT制备工艺 | 第23-25页 |
| 2.2.3 光刻版的设计 | 第25-26页 |
| 2.2.4 电极结构的形成 | 第26页 |
| 2.3 GaN基HEMT的测试 | 第26-31页 |
| 2.3.1 常用测试技术 | 第26-29页 |
| 2.3.2 器件基本特性测试 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 GaN基HEMT的肖特基特性研究 | 第32-45页 |
| 3.1 2DEG密度 | 第32-33页 |
| 3.2 开启电压 | 第33-35页 |
| 3.3 击穿电压 | 第35-37页 |
| 3.4 正向电流传输机制 | 第37-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 GaN基HEMT的电容特性研究 | 第45-55页 |
| 4.1 CV法表征异质结界面态缺陷 | 第46-50页 |
| 4.1.1 平行电导法 | 第46-48页 |
| 4.1.2 晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT界面态缺陷 | 第48页 |
| 4.1.3 AlGaN/GaN HEMT界面态缺陷 | 第48-50页 |
| 4.2 积累区电容频率散射机制 | 第50-54页 |
| 4.2.1 晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT电容散射 | 第50-54页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaN HEMT电容散射 | 第54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 GaN基HEMT的栅漏电流传输机制研究 | 第55-66页 |
| 5.1 漏电流传输机制 | 第55-64页 |
| 5.1.1 FP发射模型 | 第55-56页 |
| 5.1.2 Fowler-Nordheim隧穿模型 | 第56-57页 |
| 5.1.3 AlGaN/GaN HEMT栅漏电流传输机制 | 第57-61页 |
| 5.1.4 晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT栅漏电流传输机制 | 第61-64页 |
| 5.2 零栅压下的电流平衡 | 第64-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 GaN基HEMT的栅漏电流退化机制研究 | 第66-84页 |
| 6.1 GaN基HEMT栅漏电流退化 | 第66-74页 |
| 6.1.1 反向栅应力下AlGaN/GaN肖特基二极管漏电流退化 | 第66-71页 |
| 6.1.2 反向栅应力下晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN肖特基二极管漏电流退化 | 第71-74页 |
| 6.2 GaN基肖特基二极管漏电流退化 | 第74-80页 |
| 6.3 热电子诱发晶格匹配In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT退化 | 第80-83页 |
| 6.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 第七章 总结与展望 | 第84-87页 |
| 7.1 总结 | 第84-85页 |
| 7.2 展望 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-96页 |
| 附录:作者在攻读博士学位期间发表的论文和申请的专利 | 第96-97页 |
