片上传输线模型与GaN HEMT小信号模型研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·研究背景 | 第10-14页 |
| ·集成电路的快速发展 | 第10-12页 |
| ·建模的目的与CAD设计流程 | 第12-14页 |
| ·建模方法概述 | 第14-25页 |
| ·无源器件建模方法 | 第14-18页 |
| ·有源器件建模方法 | 第18-25页 |
| ·国内外研究现状 | 第25-28页 |
| ·片上传输线模型研究现状 | 第25-26页 |
| ·GaN HEMT模型研究现状 | 第26-28页 |
| ·本文的研究内容及各章节安排 | 第28-30页 |
| 第二章 传输线建模理论与分析 | 第30-50页 |
| ·传输线等效电路模型理论 | 第30-36页 |
| ·高频传输线研究背景 | 第30页 |
| ·传输线电报方程理论 | 第30-36页 |
| ·S参数理论 | 第36-41页 |
| ·二端口网络矩阵表示 | 第37-38页 |
| ·散射参量 | 第38-41页 |
| ·高频硅衬底上非理想效应介绍 | 第41-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 传输线等效电路模型建立及参数提取 | 第50-66页 |
| ·ADS设置与由S参数提取RLGC参数 | 第50-56页 |
| ·由ADS设置65nm工艺仿真环境 | 第50-54页 |
| ·由S参数提取RLGC参数 | 第54-56页 |
| ·模型参数提取方法研究 | 第56-61页 |
| ·慢波传输线及等效电路模型建立 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 GaN HEMT模型建立 | 第66-90页 |
| ·GaN HEMT结构特点与性能 | 第67-69页 |
| ·直流特性建模 | 第69-78页 |
| ·经验公式拟合及参数提取 | 第69-77页 |
| ·神经网络拟合直流特性 | 第77-78页 |
| ·小信号等效电路模型建立 | 第78-88页 |
| ·测试环境介绍 | 第78-80页 |
| ·小信号模型建立 | 第80-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 总结与展望 | 第90-92页 |
| ·总结 | 第90页 |
| ·展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 在读期间发表的学术论文 | 第98页 |
