| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·纳米器件的发展现状 | 第9-14页 |
| ·新型纳米MOSFET器件的发展现状 | 第9-12页 |
| ·新型纳米TFET器件的发展现状 | 第12-14页 |
| ·纳米器件模型的研究现状 | 第14-20页 |
| ·纳米MOSFET器件模型的研究现状 | 第17-20页 |
| ·纳米TFET器件模型的研究现状 | 第20页 |
| ·半解析模型的理论依据 | 第20-21页 |
| ·本文的主体结构与内容安排 | 第21-23页 |
| 第2章 DDPG MOSFET器件的射频特性研究 | 第23-36页 |
| ·DDPG MOSFET器件结构 | 第23-24页 |
| ·DDPG MOSFET器件的瞬态特性分析 | 第24-26页 |
| ·DDPG MOSFET器件的开关特性分析 | 第24页 |
| ·DDPG MOSFET器件的驱动能力分析 | 第24-26页 |
| ·DDPG MOSFET器件的小信号等效电路NQS模型 | 第26-28页 |
| ·结果分析与讨论 | 第28-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 DDPG MOSFET器件的电势模型及亚阈值电流分析 | 第36-59页 |
| ·DDPG MOSFET器件的电势模型 | 第36-51页 |
| ·基于抛物线的DDPG MOSFET电势模型 | 第36-40页 |
| ·基于半解析法的DDPG MOSFET电势模型 | 第40-51页 |
| ·DDPG MOSFET器件的亚闽值电流模型 | 第51-52页 |
| ·结果分析与讨论 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 DG TFET器件的电势模型及电流分析 | 第59-77页 |
| ·DG TFET的器件结构 | 第60-61页 |
| ·DG TFET器件的电势模型 | 第61-67页 |
| ·基于抛物线的DG TFET器件电势模型 | 第61-63页 |
| ·基于半解析法的DG TFET器件电势模型 | 第63-67页 |
| ·DG TFET器件的漏极电流模型 | 第67-69页 |
| ·结果分析与讨论 | 第69-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 第5章 DG TFET器件界面电荷效应的研究 | 第77-92页 |
| ·DG TFET的器件结构 | 第78-79页 |
| ·DG TFET器件的电势模型 | 第79-83页 |
| ·DG TFET器件的阈值电压模型 | 第83-84页 |
| ·结果分析与讨论 | 第84-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第6章 总结 | 第92-94页 |
| ·本文总结 | 第92-93页 |
| ·对后续工作的展望 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第11页 |