| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-15页 |
| 1.1.1 碳化硅材料的特性及发展 | 第10-13页 |
| 1.1.2 碳化硅功率器件的发展及应用 | 第13-15页 |
| 1.2 SiC MOSFET的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第17-20页 |
| 1.3.1 本论文主要工作 | 第17-18页 |
| 1.3.2 本论文的创新点 | 第18页 |
| 1.3.3 本论文组织结构 | 第18-20页 |
| 第二章 MOSFET的基本特性 | 第20-33页 |
| 2.1 MOSFET的电流-电压特性 | 第20-22页 |
| 2.2 MOS结构的阈值电压 | 第22-26页 |
| 2.3 MOSFET导通电阻 | 第26-30页 |
| 2.4 漏源击穿电压 | 第30页 |
| 2.5 漏源电流 | 第30-31页 |
| 2.6 寄生电容 | 第31-32页 |
| 2.7 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 SiC MOSFET测试及比较分析 | 第33-48页 |
| 3.1 测试平台搭建及测试方法 | 第33-34页 |
| 3.2 实验结果 | 第34-43页 |
| 3.2.1 器件特性测试结果 | 第34-39页 |
| 3.2.2 阈值电压V_T | 第39-40页 |
| 3.2.3 导通电阻R_(DS,on) | 第40-43页 |
| 3.3 导通电阻R_(DS,on)建模分析 | 第43-47页 |
| 3.3.1 导通电阻的组成 | 第43-45页 |
| 3.3.2 漂移区电阻 | 第45-46页 |
| 3.3.3 沟道电阻 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 SiC MOSFET的物理模型 | 第48-68页 |
| 4.1 物理模型的建立 | 第48-54页 |
| 4.1.1 器件结构模型 | 第48-49页 |
| 4.1.2 迁移率模型 | 第49-52页 |
| 4.1.3 界面态模型 | 第52-53页 |
| 4.1.4 其他主要模型 | 第53-54页 |
| 4.2 SiC MOSFET物理模型仿真 | 第54-58页 |
| 4.2.1 理想SiO_2/SiC界面的SiC MOSFET变温仿真结果 | 第55-56页 |
| 4.2.2 加入不同数量的界面态模型后,SiC MOSFET特性比较 | 第56-58页 |
| 4.3 沟道迁移率μ_(ch)仿真研究 | 第58-63页 |
| 4.3.1 μ_(ch)-V_(GS)特性比较 | 第59-60页 |
| 4.3.2 μ_(ch)各组成部分迁移率比较 | 第60-63页 |
| 4.4 SiC MOSFET界面态仿真研究 | 第63-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-71页 |
| 5.1 本文结论 | 第68-70页 |
| 5.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间主要科研成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |