| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 英文名词缩写 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| ·论文的研究背景 | 第12-13页 |
| ·国内外的研究现状 | 第13-16页 |
| ·小信号模型的研究现状 | 第13-15页 |
| ·大信号模型的研究现状 | 第15-16页 |
| ·论文的主要内容和组织框架 | 第16-17页 |
| 第二章 HEMT器件建模与测量综述 | 第17-28页 |
| ·GaN HEMT器件的工作原理 | 第17-20页 |
| ·异质结界面势阱和二维电子气的形成 | 第17-18页 |
| ·GaN HEMT的器件结构和工作原理 | 第18-20页 |
| ·GaN HEMT器件的建模 | 第20-24页 |
| ·半导体器件射频微波建模与测试 | 第20-22页 |
| ·GaN HEMT器件的建模流程 | 第22-24页 |
| ·去嵌技术 | 第24-28页 |
| ·串联去嵌技术 | 第25-26页 |
| ·并联去嵌技术 | 第26-28页 |
| 第三章 GaN HEMT小信号模型参数提取与灵敏度分析 | 第28-61页 |
| ·GaN HEMT的小信号等效电路模型 | 第28-30页 |
| ·小信号等效电路模型的参数提取过程 | 第30-31页 |
| ·寄生参数提取技术 | 第31-40页 |
| ·PAD电容提取技术 | 第32-35页 |
| ·寄生电感提取技术 | 第35-38页 |
| ·寄生电阻提取技术 | 第38-40页 |
| ·本征参数提取技术 | 第40-47页 |
| ·本征参数随频率的变化 | 第42-44页 |
| ·本征参数和偏置的关系 | 第44-47页 |
| ·模型参数的灵敏度分析 | 第47-57页 |
| ·灵敏度的定义 | 第47-48页 |
| ·本征参数灵敏度的计算 | 第48-51页 |
| ·本征参数的灵敏度分析与结果讨论 | 第51-57页 |
| ·多偏置下的小信号模型验证 | 第57-61页 |
| 第四章 EEHEMT非线性模型的参数提取与分析 | 第61-73页 |
| ·GaN HEMT器件的大信号模型简介 | 第61-63页 |
| ·EEHEMT非线性等效电路模型 | 第63-65页 |
| ·EEHETM非线性模型的参数提取 | 第65-71页 |
| ·电流模型的参数提取 | 第65-68页 |
| ·电荷模型的参数提取 | 第68-70页 |
| ·色散效应的参数提取 | 第70-71页 |
| ·EEHEMT非线性模型仿真 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·总结 | 第73页 |
| ·展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |