| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 本文架构和主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 常规HEMT异质结极化效应和制备工艺 | 第16-29页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结的自发极化和压电极化 | 第16-18页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结二维电子气（2DEG）的形成机理 | 第18-20页 |
| 2.3 常规AlGaN/GaN HEMT器件的制备工艺 | 第20-28页 |
| 2.3.1 裸片清洗与光刻工艺 | 第21-22页 |
| 2.3.2 有源区隔离 | 第22-24页 |
| 2.3.3 欧姆接触 | 第24-26页 |
| 2.3.4 器件表面钝化和栅介质淀积 | 第26-27页 |
| 2.3.5 栅金属淀积 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 GaN基凹槽栅MOSFET器件工作特性及仿真研究 | 第29-48页 |
| 3.1 GaN增强型器件实现方法与凹槽栅器件结构工作特性 | 第29-38页 |
| 3.1.1 GaN增强型HEMT器件的实现方法 | 第29-36页 |
| 3.1.2 凹槽栅MOSFET器件的工作特性 | 第36-38页 |
| 3.2 AlGaN/GaN凹槽栅增强型器件电学特性仿真 | 第38-47页 |
| 3.2.1 栅槽下方AlGaN势垒层厚度对器件阈值电压的影响 | 第39-41页 |
| 3.2.2 栅漏间距的变化对器件电学特性的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.3 栅极场板对器件电学特性的影响 | 第44-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 GaN基凹槽栅MOSFET器件制备工艺研究 | 第48-71页 |
| 4.1 器件实现工艺流程 | 第48-51页 |
| 4.2 重点优化工艺 | 第51-56页 |
| 4.2.1 低表面粗糙度处理工艺 | 第52-53页 |
| 4.2.2 钝化层界面优化工艺 | 第53-56页 |
| 4.3 AlGaN/GaN槽栅MOSFET器件性能测试分析 | 第56-69页 |
| 4.3.1 栅槽界面电荷对器件性能的影响 | 第56-59页 |
| 4.3.2 介质后退火工艺 | 第59-65页 |
| 4.3.3 器件电学特性测试分析 | 第65-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
