| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-41页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·有机场效应晶体管的器件结构，工作原理及性能评定 | 第12-14页 |
| ·有机场效应晶体管的基本结构 | 第12-13页 |
| ·有机场效应晶体管的工作原理 | 第13-14页 |
| ·主要性能指标 | 第14页 |
| ·有机半导体材料 | 第14-31页 |
| ·p型有机半导体材料 | 第15-25页 |
| ·并苯类衍生物 | 第15-18页 |
| ·Heteroacene类衍生物 | 第18-21页 |
| ·并苯类与噻吩聚合物和共聚物 | 第21-23页 |
| ·其他材料 | 第23-25页 |
| ·n型有机半导体材料 | 第25-29页 |
| ·卤代n型有机半导体材料 | 第26页 |
| ·苝的衍生物（PDIs） | 第26-27页 |
| ·萘的衍生物（NDIs） | 第27页 |
| ·富勒烯 | 第27-29页 |
| ·聚合物有机半导体材料 | 第29-31页 |
| ·有机场效应晶体管的制备方法 | 第31-36页 |
| ·有机场效应晶体管薄膜的制备 | 第32-35页 |
| ·真空技术 | 第32页 |
| ·溶液处理成膜技术 | 第32-34页 |
| ·光刻技术 | 第34页 |
| ·分子自组装技术 | 第34-35页 |
| ·有机场效应晶体管单晶的制备 | 第35-36页 |
| ·物理气相传输法（PVT） | 第35-36页 |
| ·溶液法 | 第36页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第36-39页 |
| ·智能卡 | 第36-37页 |
| ·传感器 | 第37页 |
| ·射频识别（RFID）标签 | 第37-38页 |
| ·显示器 | 第38页 |
| ·集成电路 | 第38页 |
| ·电子纸 | 第38-39页 |
| ·本论文的选题依据 | 第39-41页 |
| 第二章 二维含硫星型有机半导体材料的性能研究 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验仪器与方法 | 第42-44页 |
| ·一般方法 | 第42-43页 |
| ·SiO_2表面清洗与修饰 | 第43页 |
| ·薄膜器件制备 | 第43页 |
| ·单晶器件制备与表征 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-50页 |
| ·BTBTT的热学性能 | 第44-45页 |
| ·BTBTT的光物理性能 | 第45页 |
| ·BTBTT的电化学性能 | 第45-46页 |
| ·BTBTT薄膜形貌表征 | 第46-47页 |
| ·BTBTT薄膜有机场效应晶体管性质研究 | 第47-48页 |
| ·BTBTT单晶微纳结构制备与表征 | 第48-49页 |
| ·BTBTT单晶有机场效应晶体管性质研究 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 中心对称二维稠环化合物的场效应晶体管性能研究 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·实验仪器与方法 | 第52-53页 |
| ·一般方法 | 第52页 |
| ·SiO_2表面清洗与修饰 | 第52-53页 |
| ·薄膜器件制备 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-58页 |
| ·4TBT的热学性能 | 第53-54页 |
| ·4TBT的光物理性质 | 第54页 |
| ·4TBT的电化学性质及能级计算 | 第54-55页 |
| ·4TBT薄膜形貌表征 | 第55-57页 |
| ·4TBT薄膜场效应性能 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 全对称二维稠环化合物的场效应晶体管性能研究 | 第59-67页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·实验仪器与方法 | 第59-61页 |
| ·一般方法 | 第59-60页 |
| ·SiO_2表面清洗与修饰 | 第60页 |
| ·4BTTT薄膜器件制备 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-65页 |
| ·4BTTT的热学性能 | 第61-62页 |
| ·4BTTT的光物理性质 | 第62页 |
| ·4BTTT的电化学性质及能级计算 | 第62-63页 |
| ·4BTTT薄膜形貌表征 | 第63-64页 |
| ·4BTTT薄膜场效应晶体管性能 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-85页 |
| 发表论文 | 第85-87页 |
| 作者简历 | 第87页 |