| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 有机晶体管存储器概述 | 第12-18页 |
| 1.1.1 有机晶体管存储器的背景介绍 | 第12-13页 |
| 1.1.2 有机晶体管存储器的基本结构 | 第13-14页 |
| 1.1.3 有机晶体管存储器的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.1.4 有机晶体管存储器的性能参数 | 第15-18页 |
| 1.2 纳米颗粒悬浮栅极有机晶体管存储器 | 第18-21页 |
| 1.2.1 纳米颗粒悬浮栅极有机晶体管存储器的器件结构 | 第18-20页 |
| 1.2.2 纳米颗粒悬浮栅极的制备方法 | 第20-21页 |
| 1.3 驻极体聚合物有机晶体管存储器 | 第21-23页 |
| 1.3.1 驻极体聚合物有机晶体管存储器的器件结构 | 第21-22页 |
| 1.3.2 驻极体聚合物薄膜的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.4 有机晶体管存储器的应用前景 | 第23页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要工作 | 第23-25页 |
| 1.5.1 本论文的研究意义 | 第23-24页 |
| 1.5.2 本论文的主要工作 | 第24-25页 |
| 1.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第2章 实验设备、实验材料及实验过程 | 第26-38页 |
| 2.1 实验设备 | 第26-31页 |
| 2.1.1 真空蒸镀仪 | 第26-27页 |
| 2.1.2 真空溅射镀膜仪 | 第27-28页 |
| 2.1.3 低温探针台 | 第28页 |
| 2.1.4 半导体参数分析仪 | 第28-29页 |
| 2.1.5 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.1.6 固定角光谱椭偏仪 | 第30-31页 |
| 2.2 实验材料 | 第31-33页 |
| 2.3 实验过程 | 第33-36页 |
| 2.3.1 硅片的切割与清洗 | 第33-34页 |
| 2.3.2 金纳米颗粒薄膜沉积 | 第34页 |
| 2.3.3 聚苯乙烯隧穿绝缘层的制备 | 第34-35页 |
| 2.3.4 驻极体聚合物薄膜的制备 | 第35页 |
| 2.3.5 有机半导体薄膜及铜电极的制备 | 第35-36页 |
| 2.4 有机晶体管存储器的电学性能测量 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 基于纳米颗粒悬浮栅极P型器件的电荷存储机制研究 | 第38-61页 |
| 3.1 研究背景 | 第38-45页 |
| 3.2 存储器行为特征 | 第45-48页 |
| 3.3 实验参数影响 | 第48-58页 |
| 3.3.1 栅压扫描速度对器件转移特性曲线拐点位置的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.2 隧穿绝缘层厚度对器件转移特性曲线拐点位置的影响 | 第50-58页 |
| 3.4 存储器电荷存储机制 | 第58-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第4章 基于驻极体聚合物P型器件的电荷存储机制研究 | 第61-81页 |
| 4.1 研究背景 | 第61-67页 |
| 4.2 存储器行为特征 | 第67-70页 |
| 4.3 实验参数影响 | 第70-79页 |
| 4.3.1 栅压扫描速度对器件转移特性曲线拐点位置的影响 | 第70-72页 |
| 4.3.2 驻极体聚合物薄膜厚度对器件转移特性曲线拐点位置的影响 | 第72-79页 |
| 4.4 存储器电荷存储机制 | 第79-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 基于纳米颗粒悬浮栅极N型器件的电荷存储机制研究 | 第81-92页 |
| 5.1 研究背景 | 第81-85页 |
| 5.2 存储器行为特征 | 第85-86页 |
| 5.3 实验参数影响 | 第86-90页 |
| 5.3.1 栅压扫描速度对器件转移特性曲线拐点位置的影响 | 第86-88页 |
| 5.3.2 隧穿绝缘层厚度对器件转移特性曲线拐点位置的影响 | 第88-90页 |
| 5.4 存储器电荷存储机制 | 第90-91页 |
| 5.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 第6章 全文总结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-100页 |
| 攻读硕士学位期间本人发表的论文 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
