| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-49页 |
| 1.1 国内外饮用水资源现状 | 第11-16页 |
| 1.1.1 国外饮用水资源现状 | 第11-13页 |
| 1.1.2 国内饮用水资源状况 | 第13-16页 |
| 1.2 GaN基HEMT电化学传感器 | 第16-34页 |
| 1.2.1 GaN材料的基本结构及性质 | 第18-20页 |
| 1.2.2 GaN异质结中二维电子气的形成 | 第20-29页 |
| 1.2.3 GaN基HEMT传感器的工作原理、研究进展及存在的问题 | 第29-34页 |
| 1.3 离子印迹聚合物在水质检测电化学传感器领域的应用 | 第34-37页 |
| 1.3.1 离子印迹聚合物概述 | 第34-36页 |
| 1.3.2 离子印迹聚合物在传感器中的应用 | 第36-37页 |
| 1.4 本论文的研究思路、创新点和主要研究内容 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-49页 |
| 第二章 高选择性的离子印迹聚合物修饰的AlGaN/GaN HEMT传感器对饮用水中磷酸根离子检测的研究 | 第49-69页 |
| 2.1 引言 | 第49-50页 |
| 2.2 实验部分 | 第50-57页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN异质结材料的生长及表征 | 第50-53页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT传感器的结构设计 | 第53-54页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN HEMT传感器的制备工艺 | 第54-57页 |
| 2.2.4 磷酸根离子传感器的性能检测方法 | 第57页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第57-62页 |
| 2.3.1 离子印迹聚合物修饰的AlGaN/GaN HEMT传感器对磷酸根离子的选择、识别性研究 | 第57-60页 |
| 2.3.2 温度T、溶液pH值对AlGaN/GaN HEMT传感器性能的影响 | 第60页 |
| 2.3.3 AlGaN/GaN HEMT传感器的灵敏度、检测极限研究 | 第60-62页 |
| 2.3.4 AlGaN/GaN HEMT传感器的稳定性研究 | 第62页 |
| 2.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 第三章 超灵敏的AlInN/GaN HEMT传感器对饮用水中磷酸根离子检测的研究 | 第69-83页 |
| 3.1 引言 | 第69-70页 |
| 3.2 实验部分 | 第70-74页 |
| 3.2.1 AlIn(Ga)N/GaN异质结材料的生长及电学性能测试 | 第70-71页 |
| 3.2.2 AlIn(Ga)N/GaN HEMT传感器的结构设计 | 第71-72页 |
| 3.2.3 AlIn(Ga)N/GaN HEMT传感器的制备 | 第72-74页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第74-79页 |
| 3.3.1 AlInN/GaN HEMT传感器对磷酸根离子的选择性研究 | 第74-76页 |
| 3.3.2 AlInN/GaN HEMT传感器的灵敏度、检测极限研究 | 第76-78页 |
| 3.3.3 AlInN/GaN HEMT传感器的稳定性研究 | 第78-79页 |
| 3.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第四章 离子印迹聚合物修饰的AlInN/GaN HEMT传感器对饮用水中三氯乙酸根离子检测的研究 | 第83-96页 |
| 4.1 引言 | 第83-84页 |
| 4.2 实验部分 | 第84-87页 |
| 4.2.1 AlInN/GaN材料的生长及性能测试 | 第84页 |
| 4.2.2 AlInN/GaN HEMT传感器的制备 | 第84-87页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第87-92页 |
| 4.3.1 AlInN/GaN HEMT传感器对三氯乙酸阴离子的选择性研究 | 第87-90页 |
| 4.3.2 AlInN/GaN HEMT传感器的灵敏度、检测极限研究 | 第90-92页 |
| 4.3.3 AlInN/GaN HEMT传感器的稳定性研究 | 第92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 第五章 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 攻读博士期间发表的论文、发明专利以及参加的会议 | 第99-100页 |
