| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外GaN HEMT研究状况 | 第13-21页 |
| 1.3 GaN HEMT统计模型动态 | 第21-24页 |
| 1.4 本文的研究内容及结构安排 | 第24-26页 |
| 第二章 GaN HEMT材料特性及基本原理 | 第26-48页 |
| 2.1 GaN HEMT材料特性 | 第26-31页 |
| 2.1.1 GaN材料的晶体结构 | 第26-29页 |
| 2.1.2 GaN材料的外延层生长技术 | 第29-31页 |
| 2.2 GaN HEMT器件的结构特性和工作原理 | 第31-37页 |
| 2.2.1 GaN异质结的极化效应和二维电子气 | 第32-35页 |
| 2.2.2 GaN HEMT器件结构和工作机理 | 第35-37页 |
| 2.3 GaN HEMT器件物理模型 | 第37-42页 |
| 2.4 自热效应分析 | 第42-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 GaN HEMT等效电路模型研究 | 第48-66页 |
| 3.1 GaN HEMT等效电路模型简述 | 第48-50页 |
| 3.2 小信号等效电路模型 | 第50-57页 |
| 3.2.1 寄生参数的提取 | 第52-54页 |
| 3.2.2 本征参数的提取 | 第54-57页 |
| 3.3 大信号等效电路模型 | 第57-63页 |
| 3.3.1 GaN HEMT直流I-V特性经验模型 | 第58-62页 |
| 3.3.2 GaN HEMT非线性电容模型 | 第62-63页 |
| 3.4 大信号模型的验证 | 第63-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 基于蒙特卡洛方法的GaN HEMT等效电路统计模型研究 | 第66-94页 |
| 4.1 主成分分析法 | 第66-70页 |
| 4.1.1 主成分分析的原理及模型 | 第66-68页 |
| 4.1.2 主成分的导出及主成分分析的步骤 | 第68-70页 |
| 4.2 因子分析法 | 第70-73页 |
| 4.2.1 因子分析模型 | 第71-72页 |
| 4.2.2 模型的统计意义 | 第72-73页 |
| 4.3 多元回归模型 | 第73页 |
| 4.4 蒙特卡洛方法 | 第73-74页 |
| 4.5 小信号等效电路统计模型 | 第74-81页 |
| 4.5.1 小信号统计模型的建立 | 第75-79页 |
| 4.5.2 小信号统计模型的验证与分析 | 第79-81页 |
| 4.6 大信号等效电路统计模型 | 第81-87页 |
| 4.6.1 大信号统计模型的建立 | 第82-84页 |
| 4.6.2 大信号统计模型的验证与分析 | 第84-87页 |
| 4.7 基于统计模型的Ku波段功率放大器设计与分析 | 第87-93页 |
| 4.8 本章小结 | 第93-94页 |
| 第五章 基于响应曲面法的GaN HEMT大信号等效电路统计模型研究 | 第94-118页 |
| 5.1 响应曲面法 | 第94-95页 |
| 5.2 基于响应曲面法的大信号等效电路统计模型 | 第95-101页 |
| 5.2.1 大信号统计模型的建立 | 第96-97页 |
| 5.2.2 大信号统计模型的验证 | 第97-101页 |
| 5.3 基于统计模型的S波段功率放大器设计与分析 | 第101-106页 |
| 5.4 大信号统计模型在功放单片电路中验证 | 第106-116页 |
| 5.5 本章小结 | 第116-118页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第118-121页 |
| 6.1 全文总结 | 第118-119页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第134-136页 |
