| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·研究现状 | 第10页 |
| ·本文研究内容与安排 | 第10-11页 |
| ·本章小结 | 第11-13页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件原理 | 第13-29页 |
| ·GaN材料 | 第13-14页 |
| ·场效应晶体管 | 第14-15页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT | 第15-21页 |
| ·典型器件结构 | 第15-16页 |
| ·2DEG及其量子化状态 | 第16-18页 |
| ·极化电荷 | 第18-19页 |
| ·阈值电压 | 第19页 |
| ·I-V特性 | 第19-20页 |
| ·漏电导 | 第20-21页 |
| ·跨导 | 第21页 |
| ·截止频率 | 第21页 |
| ·极化效应 | 第21-25页 |
| ·自发极化 | 第22-23页 |
| ·压电极化 | 第23-25页 |
| ·电流崩塌效应 | 第25页 |
| ·Silvaco TCAD工具简介 | 第25-28页 |
| ·数值计算 | 第25-26页 |
| ·物理计算 | 第26页 |
| ·基本组件 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件电学特性模拟 | 第29-47页 |
| ·基本方程 | 第29-32页 |
| ·泊松方程 | 第29-30页 |
| ·载流子连续性方程 | 第30页 |
| ·异质结能带结构的漂移-扩散方程 | 第30-32页 |
| ·位移电流方程 | 第32页 |
| ·物理模型 | 第32-34页 |
| ·迁移率模型 | 第32-33页 |
| ·载流子生成-复合模型 | 第33页 |
| ·碰撞离化模型 | 第33-34页 |
| ·器件结构及性能模拟 | 第34-46页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件结构和工艺参数 | 第34-35页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT结构仿真 | 第35-37页 |
| ·仿真结果与实验结果对比 | 第37-38页 |
| ·仿真器件参数对器件电学性能的影响 | 第38-41页 |
| ·仿真场板结构对于器件性能的影响 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件热特性的计算机模拟 | 第47-57页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的热问题 | 第47-50页 |
| ·自热效应影响 | 第47-48页 |
| ·衬底的影响 | 第48-50页 |
| ·物理模型 | 第50-51页 |
| ·热产生模型 | 第50页 |
| ·热传导模型 | 第50页 |
| ·材料热导率模型 | 第50-51页 |
| ·器件的自热效应仿真 | 第51-55页 |
| ·仿真自热效应对器件转移特性及输出特性的影响 | 第51-53页 |
| ·仿真自热效应下器件晶格温度变化 | 第53-54页 |
| ·仿真改变衬底以及改变衬底组分器件有源区最高温度变化 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
