| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| ·课题背景及选题意义 | 第10-12页 |
| ·GaN HEMT器件的特点 | 第10-11页 |
| ·毫米波段T/R组件的应用需求 | 第11-12页 |
| ·单刀双掷开关MMIC的发展现状 | 第12-14页 |
| ·本文的主要内容与安排 | 第14-16页 |
| 第2章 单刀双掷开关设计理论基础 | 第16-28页 |
| ·开关原理 | 第16-20页 |
| ·HEMT开关器件的原理 | 第16-18页 |
| ·HEMT器件的等效电路 | 第18-20页 |
| ·MMIC开关的主要性能指标 | 第20-27页 |
| ·功率 | 第20-23页 |
| ·带宽 | 第23-24页 |
| ·插入损耗 | 第24-25页 |
| ·隔离度 | 第25-26页 |
| ·开关速度 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 AlGaN/GaN HEMT器件与无源器件仿真 | 第28-45页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件 | 第28-30页 |
| ·器件结构 | 第28-29页 |
| ·工作原理 | 第29-30页 |
| ·器件的材料选择 | 第30-34页 |
| ·衬底的选择 | 第30-32页 |
| ·GaN外延生长 | 第32-33页 |
| ·异质结AlGaN/AlN/GaN的形成 | 第33-34页 |
| ·无源器件理论与仿真分析 | 第34-44页 |
| ·微带线 | 第34-35页 |
| ·电阻 | 第35-36页 |
| ·电感 | 第36-40页 |
| ·电容 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 Ka波段GaN单片集成单刀双掷开关的设计 | 第45-66页 |
| ·单刀双掷开关的设计流程及指标分析 | 第45-47页 |
| ·设计流程 | 第45-46页 |
| ·指标分析 | 第46-47页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件选型及分析 | 第47-50页 |
| ·晶体管模型的提取 | 第47-49页 |
| ·直流特性分析 | 第49-50页 |
| ·开关的结构及提高性能的关键技术 | 第50-56页 |
| ·开关的基本组成机构 | 第50-52页 |
| ·四分之一波长线 | 第52-54页 |
| ·并联谐振电感 | 第54-55页 |
| ·对称并联场效应管拓扑结构 | 第55-56页 |
| ·单刀双掷开关的设计 | 第56-64页 |
| ·开关的拓扑结构 | 第56-58页 |
| ·电容和通孔的拟合 | 第58-60页 |
| ·整体电路原理图的仿真 | 第60-62页 |
| ·版图的设计与优化 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |