| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| 1.1 高压大功率GaN器件研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 高压大功率GaN器件发展与应用现状 | 第12-14页 |
| 1.3 高压大功率GaN器件开关特性与振荡情况研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第16-17页 |
| 2 高压大功率GaN器件开关特性研究 | 第17-31页 |
| 2.1 测试平台 | 第18-23页 |
| 2.1.1 不同测量方式对测试波形的影响 | 第19-22页 |
| 2.1.2 不同寄生参数对测试波形的影响 | 第22-23页 |
| 2.2 TPH3205W开关特性测试 | 第23-27页 |
| 2.3 GS66508P开关特性测试 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 高压大功率GaN器件振荡问题分析 | 第31-71页 |
| 3.1 高压大功率GaN器件开关过程分析 | 第31-49页 |
| 3.1.1 E-mode型GaN器件开关过程分析 | 第31-38页 |
| 3.1.2 Cascode型GaN器件开关过程分析 | 第38-49页 |
| 3.2 高压大功率GaN器件振荡分析 | 第49-59页 |
| 3.2.1 由寄生参数引起的被动管外部驱动误导通振荡 | 第50-53页 |
| 3.2.2 由自身结构引起的被动管内部误导通振荡 | 第53-59页 |
| 3.3 高压大功率GaN器件振荡抑制方案 | 第59-70页 |
| 3.3.1 由寄生参数引起被动管外部误导通的振荡抑制方案 | 第60-66页 |
| 3.3.2 由自身结构引起被动管内部误导通的振荡抑制方案 | 第66-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 4 高压大功率GaN器件应用设计研究 | 第71-85页 |
| 4.1 拓扑优化 | 第71-74页 |
| 4.2 高频功率环路优化设计 | 第74-81页 |
| 4.2.1 环路寄生电感优化 | 第74-76页 |
| 4.2.2 电感寄生电容优化 | 第76-81页 |
| 4.3 驱动优化 | 第81-83页 |
| 4.4 本章小结 | 第83-85页 |
| 5 结论 | 第85-87页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第85-86页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第91-95页 |
| 学位论文数据集 | 第95页 |
