| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 电力电子技术和功率半导体器件 | 第11-13页 |
| 1.2 智能功率集成电路简介 | 第13-17页 |
| 1.3 主要分立纵向功率半导体器件简介 | 第17-26页 |
| 1.3.1 纵向功率MOSFET的研究与发展 | 第18-21页 |
| 1.3.2 IGBT的研究与发展 | 第21-26页 |
| 1.4 本文使用的其它相关技术 | 第26-27页 |
| 1.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 1.6 本文的主要研究工作 | 第28-30页 |
| 第二章 利用电子层增强导电的“赝P-LDMOS”的机理与设计 | 第30-56页 |
| 2.1 横向功率器件在SPIC芯片中的应用 | 第30-34页 |
| 2.2 新型“赝P-LDMOS”的研究与设计 | 第34-50页 |
| 2.2.1 新型“赝p-LDMOS”的原理分析 | 第35-38页 |
| 2.2.2 新型“赝p-LDMOS”的静态特性 | 第38-45页 |
| 2.2.3 新型“赝p-LDMOS”的开启过程分析 | 第45-48页 |
| 2.2.4 新型“赝p-LDMOS”的关断过程分析 | 第48-50页 |
| 2.3 新型“赝P-LDMOS”的工艺仿真验证与讨论 | 第50-52页 |
| 2.4 新型高压CMOS的集成与耐压分析 | 第52-54页 |
| 2.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 利用电子反型层导电的“赝P-LDMOS”的研究与应用 | 第56-79页 |
| 3.1 反型层“赝P-LDMOS”基本原理 | 第56-60页 |
| 3.2 反型层“赝P-LDMOS”在半桥电路中的应用 | 第60-73页 |
| 3.2.1 反型层“赝p-LDMOS”的仿真验证 | 第61-67页 |
| 3.2.2 反型层“赝p-LDMOS”的参数设计与讨论 | 第67-73页 |
| 3.3 工艺仿真验证 | 第73-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 一种体二极管具有低反向恢复电荷的SJ-UMOS的研究 | 第79-89页 |
| 4.1 研究背景 | 第79页 |
| 4.2 一种体二极管具有低反向恢复电荷的SJ-UMOS的结构 | 第79-81页 |
| 4.3 几种SJ-UMOS的体二极管特性的比较 | 第81-87页 |
| 4.4 新型SJ-UMOS的工艺简述 | 第87-88页 |
| 4.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 一种新型RC-IGBT的研究 | 第89-99页 |
| 5.1 研究背景 | 第89页 |
| 5.2 新型RC-IGBT与传统RC-IGBT的特性对比 | 第89-98页 |
| 5.2.1 静态特性的对比 | 第89-94页 |
| 5.2.2 关断特性的对比 | 第94-96页 |
| 5.2.3 RC-IGBT体二极管的反向恢复特性和功耗对比 | 第96-98页 |
| 5.3 本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第99-101页 |
| 6.1 全文总结 | 第99-100页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-113页 |
| 附录一 | 第113-114页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第114-115页 |
