| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 专用术语注释表 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·新型材料 | 第10-16页 |
| ·石墨烯 | 第11-13页 |
| ·碳纳米管 | 第13-16页 |
| ·基于新型材料场效应管的研究现状 | 第16-18页 |
| ·本文的主要研究内容和创新点 | 第18-19页 |
| ·本论文章节安排 | 第19-20页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第20-25页 |
| ·非平衡格林函数 | 第20-22页 |
| ·Dyson方程 | 第22-23页 |
| ·Landauer-Büttiker方程 | 第23-25页 |
| 第三章 新型碳基场效应管的电学特性研究 | 第25-44页 |
| ·基于掺杂结构n-i-n型石墨烯场效应管的电学特性 | 第25-30页 |
| ·传统GNRFETs的电学特性 | 第25-26页 |
| ·非对称峰值掺杂以及轻掺杂对GNRFETs电学特性的影响 | 第26-29页 |
| ·HALO掺杂浓度对HALO-LDD-GNRFETs电学特性的影响 | 第29-30页 |
| ·基于异质轻掺杂结构p-i-n型碳纳米管场效应管的电学特性 | 第30-42页 |
| ·TFETs工作原理 | 第31-33页 |
| ·异质栅电介质结构TFETs电学特性 | 第33-34页 |
| ·轻掺杂对HTFETs电学特性的影响 | 第34-38页 |
| ·栅介电常数对LD-HTFETs电学特性的影响 | 第38-40页 |
| ·栅功函数以及手性对LD-HTFETs电学特性的影响 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 基于新型碳基场效应管的基本电路特性分析 | 第44-61页 |
| ·碳基场效应管的SPICE查找表模型 | 第44-46页 |
| ·CNTFETs的SPICE查找表模型 | 第44-46页 |
| ·GNRFETs的SPICE查找表模型 | 第46页 |
| ·基于掺杂结构n-i-n型石墨烯场效应管构建电路的性能 | 第46-53页 |
| ·HALO-LDD-GNRFETs实现D触发器电路 | 第46-48页 |
| ·HALO-LDD-GNRFETs实现多路复用电路 | 第48-50页 |
| ·GNRFETs构建异或门电路的性能分析 | 第50-51页 |
| ·GNRFETs构建加法器电路的性能分析 | 第51-53页 |
| ·基于异质轻掺杂结构p-i-n型碳纳米管场效应管构建二值和多值逻辑电路的性能 | 第53-60页 |
| ·TFETs构建二值反相器电路的性能分析 | 第53-56页 |
| ·LD-HTFETs构建三值反相器电路的性能分析 | 第56-58页 |
| ·TFETs构建逻辑电路的性能分析 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 硅基自旋场效应管的电学特性以及在电路中的应用 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61-63页 |
| ·自旋电子学 | 第61-62页 |
| ·自旋场效应管的简介 | 第62-63页 |
| ·硅基自旋场效应管的输运特性 | 第63-68页 |
| ·基于硅基自旋场效应管构建电路的性能 | 第68-70页 |
| ·SPINFET构建二级反相器电路的性能分析 | 第68-69页 |
| ·SPINFET构建逻辑电路的性能分析 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第77-78页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
