| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-31页 |
| 1.1 有机场效应晶体管的概述 | 第11-21页 |
| 1.1.1 有机场效应晶体管的发展历史和研究现状 | 第11-14页 |
| 1.1.2 有机场效应晶体管的结构及工作原理 | 第14-16页 |
| 1.1.3 有机场效应晶体管的主要性能参数 | 第16-19页 |
| 1.1.4 有机场效应晶体管的应用 | 第19-21页 |
| 1.2 有机场效应晶体管材料 | 第21-29页 |
| 1.2.1 p型有机半导体材料 | 第21-25页 |
| 1.2.2 n型有机半导体材料 | 第25-27页 |
| 1.2.3 双极性有机半导体材料 | 第27-29页 |
| 1.3 有机场效应晶体管存在的问题 | 第29-30页 |
| 1.4 本论文主要工作内容 | 第30-31页 |
| 第二章 氟取代酞菁铜的合成与表征 | 第31-48页 |
| 2.1 主要原料及试剂 | 第32-33页 |
| 2.2 仪器与设备 | 第33-34页 |
| 2.3 氟代酞菁铜的合成方法 | 第34-42页 |
| 2.3.1 四氟取代酞菁铜的合成 | 第34-36页 |
| 2.3.2 八氟取代酞菁铜的合成 | 第36-40页 |
| 2.3.3 十二氟取代酞菁铜的合成 | 第40-41页 |
| 2.3.4 十六氟取代酞菁铜的合成 | 第41-42页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第42-47页 |
| 2.4.1 氟代邻苯二甲酸法合成八氟取代酞菁铜工艺优化 | 第42-44页 |
| 2.4.2 氟代酞菁铜合成工艺比较 | 第44页 |
| 2.4.3 氟代酞菁铜升华提纯 | 第44-45页 |
| 2.4.4 氟代酞菁铜结构表征 | 第45-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 氟代酞菁铜的性能研究 | 第48-61页 |
| 3.1 主要原料与试剂 | 第48-49页 |
| 3.2 主要实验仪器 | 第49-50页 |
| 3.3 实验方法 | 第50-51页 |
| 3.3.1 紫外-可见吸收光谱测试 | 第50页 |
| 3.3.2 循环伏安测试 | 第50页 |
| 3.3.3 扫描电镜测试 | 第50页 |
| 3.3.4 材料本征迁移率测试 | 第50-51页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第51-60页 |
| 3.4.1 氟取代酞菁铜在DMF溶剂中的吸光性能研究 | 第51-53页 |
| 3.4.2 氟取代酞菁铜的固体薄膜吸光性能研究 | 第53-54页 |
| 3.4.3 氟取代酞菁铜的电化学性能研究 | 第54-56页 |
| 3.4.4 氟取代酞菁铜表面形貌性能研究 | 第56-57页 |
| 3.4.5 氟取代酞菁铜的迁移性能研究 | 第57-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 十六氟取代酞菁铜场效应器件的优化 | 第61-83页 |
| 4.1 主要原料与试剂 | 第61-62页 |
| 4.2 主要实验仪器 | 第62页 |
| 4.3 有机薄膜晶体管的制备 | 第62-63页 |
| 4.3.1 硅片的处理 | 第62页 |
| 4.3.2 硅片表面的修饰 | 第62-63页 |
| 4.3.3 场效应器件的制备 | 第63页 |
| 4.4 全氟酞菁铜场效应器件制备工艺研究 | 第63-82页 |
| 4.4.1 F_(16)CuPc的OTFTs的制备工艺研究 | 第64-69页 |
| 4.4.2 绝缘层修饰OTS对F_(16)CuPc器件的影响 | 第69-76页 |
| 4.4.3 绝缘层修饰p-6P的F_(16)CuPc器件制备工艺研究 | 第76-81页 |
| 4.4.4 绝缘层修饰p-6P的F_(16)CuPc器件寿命的研究 | 第81-82页 |
| 4.5 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 氟取代对酞菁铜场效应器件的影响 | 第83-99页 |
| 5.1 主要原料与试剂 | 第84-85页 |
| 5.2 主要实验仪器 | 第85页 |
| 5.3 实验方法 | 第85-88页 |
| 5.3.1 理论计算说明 | 第85-87页 |
| 5.3.2 场效应器件的制备与表征 | 第87-88页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第88-98页 |
| 5.4.1 氟取代对酞菁铜分子能级的影响 | 第88-91页 |
| 5.4.2 FxCuPc在薄膜中的结晶性研究 | 第91-92页 |
| 5.4.3 FxCuPc薄膜形貌研究 | 第92-93页 |
| 5.4.4 氟代酞菁铜对载流子迁移率的影响 | 第93-98页 |
| 5.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 第六章 结论、创新点和展望 | 第99-101页 |
| 6.1 本文结论 | 第99-100页 |
| 6.2 本文创新点 | 第100页 |
| 6.3 展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-112页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第112-113页 |
| 附录 | 第113-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
