| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 国内外研究概况 | 第9-15页 |
| 1.1.1 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) | 第9-10页 |
| 1.1.2 隧穿场效应晶体管 | 第10-13页 |
| 1.1.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 | 第13-14页 |
| 1.1.4 隧穿场效应晶体管带间隧穿的几种讨论方法 | 第14-15页 |
| 1.2 论文内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 基本理论和软件介绍 | 第16-21页 |
| 2.1 第一性原理 | 第16页 |
| 2.2 多电子体系的薛定谔方程 | 第16-18页 |
| 2.2.1 多电子体系的薛定谔方程与Born-Oppenheimer近似 | 第16-17页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock自洽场近似 | 第17-18页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第18-19页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理(HK定理) | 第18页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.3.3 交换关联近似 | 第19页 |
| 2.4 PEtot_trans开源软件 | 第19-21页 |
| 第三章 Ab initio方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体合金材料的带间隧穿 | 第21-32页 |
| 3.1 理论模型及方法 | 第21-22页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第21页 |
| 3.1.2 理论方法 | 第21-22页 |
| 3.2 InAs及其三元合金带间隧穿的计算 | 第22-28页 |
| 3.2.1 结构模型 | 第22-23页 |
| 3.2.2 局域态密度及能带结构 | 第23-24页 |
| 3.2.3 透射系数及电流密度 | 第24-28页 |
| 3.3 InP及其三元合金带间隧穿的计算 | 第28-32页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族半导体合金材料Ga、Sb掺杂的带间隧穿 | 第32-38页 |
| 4.1 理论模型 | 第32页 |
| 4.2 理论计算与结果讨论 | 第32-38页 |
| 4.2.1 InAs、InAs-CENTRAL-InAs的透射系数及电流 | 第32-34页 |
| 4.2.2 InP、InP-CENTRAL-InP的透射系数及电流 | 第34-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第44页 |
