| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 材料的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.1.1 InAs的基本结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第12页 |
| 1.2 InAs半导体的的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第15-23页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-20页 |
| 2.1.1 绝热近似与哈特利-福克近似 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第16-17页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第17-18页 |
| 2.1.4 交换关联势 | 第18-19页 |
| 2.1.4.1 局域密度近似 | 第18-19页 |
| 2.1.4.2 广义梯度近似 | 第19页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第19-20页 |
| 2.1.5.1 模守恒赝势 | 第19-20页 |
| 2.1.5.2 超软赝势 | 第20页 |
| 2.3 Materials Studio软件 | 第20-23页 |
| 2.3.1 软件介绍 | 第20-21页 |
| 2.3.2 CASTEP的任务 | 第21-23页 |
| 第三章 闪锌矿InAs和InAs_(1-x)P_x的晶格常数和电子结构 | 第23-33页 |
| 3.1 理论模型与计算方法 | 第23-24页 |
| 3.2 计算结果与讨论 | 第24-33页 |
| 3.2.1 闪锌矿InAs_(1-x)P_x的晶格常数和带隙值 | 第24-27页 |
| 3.2.2 闪锌矿InAs的态密度与能带结构 | 第27-28页 |
| 3.2.3 闪锌矿InAs_(1-x)P_x电子能带结构 | 第28-29页 |
| 3.2.4 闪锌矿InAs_(1-x)P_x态密度以及分波态密度 | 第29-33页 |
| 第四章 闪锌矿InAs和InAs_(1-x)P_x的光学性质 | 第33-42页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 理论方法 | 第33-34页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第34-41页 |
| 4.3.1 InAs光学性质的计算 | 第34-41页 |
| 4.4 总结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
