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二维有机半导体电学输运性质的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第11-51页
    1.1 有机半导体材料第11-13页
    1.2 有机场效应晶体管第13-30页
        1.2.1 器件结构第13-14页
        1.2.2 工作机理第14-17页
        1.2.3 性能参数第17-20页
        1.2.4 影响性能的因素第20-27页
        1.2.5 输运性质第27-30页
    1.3 二维有机半导体第30-39页
        1.3.1 引言第30-32页
        1.3.2 二维有机半导体的制备方法第32-37页
        1.3.3 二维有机半导体的迁移率第37-39页
    1.4 选题意义与论文结构第39-40页
    参考文献第40-51页
第二章 二维有机并五苯薄膜的制备与表征第51-75页
    2.1 引言第51-52页
    2.2 二维并五苯薄膜的范德华外延生长第52-56页
        2.2.1 材料的选择第52-53页
        2.2.2 范德华外延生长方法及设备第53-54页
        2.2.3 生长结果第54-56页
    2.3 二维并五苯分子晶体的晶格结构第56-65页
        2.3.1 实验测量第56-61页
        2.3.2 理论计算第61-65页
    2.4 二维有机并五苯薄膜的光学表征第65-70页
        2.4.1 Raman表征第65-66页
        2.4.2 偏振依赖吸收第66-68页
        2.4.3 偏振依赖光致发光第68-70页
    2.5 本章小结第70-72页
    参考文献第72-75页
第三章 二维并五苯薄膜场效应晶体管器件输运性质第75-101页
    3.1 引言第75-76页
    3.2 器件制备第76-77页
    3.3 器件的输运性质第77-94页
        3.3.1 1L跃迁输运第78-86页
        3.3.2 2L能带输运第86-90页
        3.3.3 理论计算第90-94页
    3.4 3L迁移率饱和第94-96页
    3.5 本章小结第96-98页
    参考文献第98-101页
第四章 二维有机半导体范德瓦尔斯异质结第101-123页
    4.1 引言第101-102页
    4.2 垂直和平面有机异质结的生长第102-105页
    4.3 有机异质结的表征第105-112页
        4.3.1 垂直异质结第105-108页
        4.3.2 平面异质结第108-112页
    4.4 异质结器件第112-117页
        4.4.1 平面器件第112-115页
        4.4.2 垂直器件第115-117页
    4.5 本章小结第117-119页
    参考文献第119-123页
第五章 总结与展望第123-127页
    5.1 总结第123-125页
    5.2 展望第125-127页
致谢第127-129页
攻读博士学位期间发表的文章第129-131页

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