二维有机半导体电学输运性质的研究
摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第11-51页 |
1.1 有机半导体材料 | 第11-13页 |
1.2 有机场效应晶体管 | 第13-30页 |
1.2.1 器件结构 | 第13-14页 |
1.2.2 工作机理 | 第14-17页 |
1.2.3 性能参数 | 第17-20页 |
1.2.4 影响性能的因素 | 第20-27页 |
1.2.5 输运性质 | 第27-30页 |
1.3 二维有机半导体 | 第30-39页 |
1.3.1 引言 | 第30-32页 |
1.3.2 二维有机半导体的制备方法 | 第32-37页 |
1.3.3 二维有机半导体的迁移率 | 第37-39页 |
1.4 选题意义与论文结构 | 第39-40页 |
参考文献 | 第40-51页 |
第二章 二维有机并五苯薄膜的制备与表征 | 第51-75页 |
2.1 引言 | 第51-52页 |
2.2 二维并五苯薄膜的范德华外延生长 | 第52-56页 |
2.2.1 材料的选择 | 第52-53页 |
2.2.2 范德华外延生长方法及设备 | 第53-54页 |
2.2.3 生长结果 | 第54-56页 |
2.3 二维并五苯分子晶体的晶格结构 | 第56-65页 |
2.3.1 实验测量 | 第56-61页 |
2.3.2 理论计算 | 第61-65页 |
2.4 二维有机并五苯薄膜的光学表征 | 第65-70页 |
2.4.1 Raman表征 | 第65-66页 |
2.4.2 偏振依赖吸收 | 第66-68页 |
2.4.3 偏振依赖光致发光 | 第68-70页 |
2.5 本章小结 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |
第三章 二维并五苯薄膜场效应晶体管器件输运性质 | 第75-101页 |
3.1 引言 | 第75-76页 |
3.2 器件制备 | 第76-77页 |
3.3 器件的输运性质 | 第77-94页 |
3.3.1 1L跃迁输运 | 第78-86页 |
3.3.2 2L能带输运 | 第86-90页 |
3.3.3 理论计算 | 第90-94页 |
3.4 3L迁移率饱和 | 第94-96页 |
3.5 本章小结 | 第96-98页 |
参考文献 | 第98-101页 |
第四章 二维有机半导体范德瓦尔斯异质结 | 第101-123页 |
4.1 引言 | 第101-102页 |
4.2 垂直和平面有机异质结的生长 | 第102-105页 |
4.3 有机异质结的表征 | 第105-112页 |
4.3.1 垂直异质结 | 第105-108页 |
4.3.2 平面异质结 | 第108-112页 |
4.4 异质结器件 | 第112-117页 |
4.4.1 平面器件 | 第112-115页 |
4.4.2 垂直器件 | 第115-117页 |
4.5 本章小结 | 第117-119页 |
参考文献 | 第119-123页 |
第五章 总结与展望 | 第123-127页 |
5.1 总结 | 第123-125页 |
5.2 展望 | 第125-127页 |
致谢 | 第127-129页 |
攻读博士学位期间发表的文章 | 第129-131页 |