| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 单晶硅表面微结构的应用 | 第9-13页 |
| 1.2.1 表面微结构在太阳能电池上的应用 | 第9-11页 |
| 1.2.2 表面微结构在SERS基底上应用 | 第11-13页 |
| 1.3 单晶硅表面微结构的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.3.1 表面微机械加工技术 | 第13页 |
| 1.3.2 干法刻蚀技术 | 第13-14页 |
| 1.3.3 湿法腐蚀技术 | 第14-15页 |
| 1.4 本文的研究背景及意义 | 第15-16页 |
| 第二章 单晶硅表面微结构制备的机理 | 第16-23页 |
| 2.1 前言 | 第16页 |
| 2.2 单晶硅晶体结构 | 第16-18页 |
| 2.3 碱溶液刻蚀 | 第18-21页 |
| 2.3.1 碱溶液对单晶硅的各向异性腐蚀性 | 第18-20页 |
| 2.3.2 各向异性腐蚀性机理解释 | 第20-21页 |
| 2.4 单晶硅表面微结构的制备工艺 | 第21-23页 |
| 第三章 单晶硅表面微结构的制备 | 第23-37页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 实验试剂与仪器 | 第24-26页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第24-26页 |
| 3.2.2 实验分析软件 | 第26页 |
| 3.3 单晶硅表面微结构实验 | 第26-29页 |
| 3.3.1 单晶硅切片 | 第26-27页 |
| 3.3.2 单晶硅表面清洗 | 第27页 |
| 3.3.3 单晶硅表面微结构实验 | 第27-29页 |
| 3.4 硅表面微结构反射率测试和形貌分析 | 第29-37页 |
| 3.4.1 KOH浓度对单晶硅表面微结构的影响 | 第29-32页 |
| 3.4.2 20%KOH，25%KOH，温度对单晶硅表面微结构的影响 | 第32-34页 |
| 3.4.3 反应时间硅微结构的影响 | 第34-37页 |
| 第四章 低浓度KOH/IPA中单晶硅表面微结构的制备 | 第37-52页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 低浓度KOH/IPA反应 | 第37-39页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第39-52页 |
| 4.3.1 低浓度下，KOH浓度对硅微结构的影响 | 第39-42页 |
| 4.3.2 低浓度下，IPA积分数对硅微结构的影响 | 第42-46页 |
| 4.3.3 低浓度下，温度对硅微结构的影响 | 第46-48页 |
| 4.3.4 低浓度下，时间对硅微结构的影响 | 第48-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-55页 |
| 5.1 主要总结 | 第52-54页 |
| 5.2 本文创新点 | 第54页 |
| 5.3 研究和展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第60页 |
