TiC/n型4H-SiC氮氢等离子体处理与欧姆接触关系的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 研究方法和研究内容 | 第12-14页 |
| 2 欧姆接触的基本原理 | 第14-22页 |
| 2.1 金属半导体接触的基本参数 | 第14-15页 |
| 2.2 肖特基势垒的形成机理及影响因素 | 第15-17页 |
| 2.3 载流子的输运机制 | 第17-18页 |
| 2.4 欧姆接触的形成机理 | 第18-19页 |
| 2.5 获得低接触电阻率的条件 | 第19-20页 |
| 2.6 本章小结 | 第20-22页 |
| 3 ECR氮氢等离子体处理 | 第22-38页 |
| 3.1 SiC表面态与表面处理方法 | 第22-25页 |
| 3.1.1 表面态及其对欧姆接触的影响 | 第22页 |
| 3.1.2 表面处理方法介绍 | 第22-25页 |
| 3.2 ECR氢等离子体处理与氮氢等离子体处理 | 第25-31页 |
| 3.2.1 ECR氢等离子体处理 | 第25-27页 |
| 3.2.2 ECR氮氢等离子体处理 | 第27-29页 |
| 3.2.3 本文的氮氢等离子体处理参数 | 第29-31页 |
| 3.3 氮氢等离子体处理效果微观分析 | 第31-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 TiC/n型4H-SiC欧姆接触 | 第38-57页 |
| 4.1 SiC欧姆接触材料的选择 | 第38-40页 |
| 4.1.1 n型SiC欧姆接触 | 第38-39页 |
| 4.1.2 本文金属方案的选择 | 第39-40页 |
| 4.2 接触电阻率的测量方法 | 第40-43页 |
| 4.2.1 直线传输线模型法 | 第40-42页 |
| 4.2.2 圆点传输线模型法 | 第42-43页 |
| 4.3 TiC/n型4H-SiC欧姆接触工艺流程 | 第43-48页 |
| 4.3.1 RCA清洗 | 第43-44页 |
| 4.3.2 氮氢等离子体处理 | 第44-45页 |
| 4.3.3 光刻 | 第45-46页 |
| 4.3.4 磁控溅射 | 第46-47页 |
| 4.3.5 剥离 | 第47-48页 |
| 4.3.6 退火 | 第48页 |
| 4.3.7 电学参数测试 | 第48页 |
| 4.4 接触电阻率的测量与计算 | 第48-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
