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单层二硫化钼的化学气相生长研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-23页
    1.1 MoS_2研究现状第9页
    1.2 制备单层MoS_2的方法第9-18页
        1.2.1 微机械剥离法第10页
        1.2.2 电化学剥离法第10-11页
        1.2.3 液相超声剥离法第11-12页
        1.2.4 臭氧氧化法第12-13页
        1.2.5 激光法第13-14页
        1.2.6 等离子体处理法第14-15页
        1.2.7 硫化Mo单质法第15页
        1.2.8 硫化氧化钼法第15-17页
        1.2.9 硫化氯化钼法第17-18页
        1.2.10 硫代钼酸盐分解法第18页
    1.3 单层MoS_2的应用第18-21页
        1.3.1 场效应管第18-19页
        1.3.2 气敏传感器第19页
        1.3.3 二次电池第19-20页
        1.3.4 发光器件第20页
        1.3.5 光电探测器第20-21页
    1.4 本文选题依据及研究内容第21-23页
第二章 实验方法与仪器第23-33页
    2.1 引言第23页
    2.2 实验药品和仪器第23-25页
        2.2.1 药品和试剂第23-24页
        2.2.2 实验所需仪器第24-25页
    2.3 实验步骤第25-26页
    2.4 化学气相沉积原理第26-29页
    2.5 测试仪器简介第29-32页
        2.5.1 光学显微镜第29-30页
        2.5.2 共聚焦拉曼显微光谱仪第30-31页
        2.5.3 原子力显微镜第31页
        2.5.4 扫描电子显微镜第31-32页
    2.6 小结第32-33页
第三章 硫化法制备单层二硫化钼第33-44页
    3.1 概述第33页
    3.2 制备结果与测试分析第33-43页
        3.2.1 硫化法制得菱形MoS_2第33-34页
        3.2.2 MoS_2的形貌分析第34-36页
        3.2.3 菱形MoS_2的厚度研究第36-38页
        3.2.4 菱形MoS_2的拉曼光谱(Raman)研究第38-39页
        3.2.5 菱形MoS_2的荧光光谱(PL)研究第39-43页
    3.3 本章小结第43-44页
第四章 化学气相沉积法生长单层二硫化钼第44-53页
    4.1 概述第44页
    4.2 制备结果与测试分析第44-51页
        4.2.1 均匀形核原理第44-46页
        4.2.2 制备单层MoS_2过程的分析第46-49页
        4.2.3 单层MoS_2的性能分析第49-51页
    4.3 本章小结第51-53页
第五章 催化法生长单层二硫化钼第53-69页
    5.1 概述第53页
    5.2 制备结果和测试分析第53-68页
        5.2.1 非均匀形核第53-54页
        5.2.2 氧化石墨烯量子点催化制备单层MoS_2第54-64页
        5.2.3 石墨烯量子点催化制备单层MoS_2第64-66页
        5.2.4 其他尝试第66-68页
    5.3 本章小结第68-69页
第六章 总结和展望第69-71页
    6.1 研究总结第69页
    6.2 展望第69-71页
致谢第71-72页
参考文献第72-79页
附录第79页

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