| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 红外材料平台 | 第17-20页 |
| 1.1.1 红外探测材料 | 第17-18页 |
| 1.1.2 红外辐射材料 | 第18-20页 |
| 1.1.3 红外合金体系：弱无序系统 | 第20页 |
| 1.2 红外固体光谱方法和表征平台 | 第20-22页 |
| 1.3 本文的基本思路和总体架构 | 第22-25页 |
| 1.3.1 基本思路 | 第22页 |
| 1.3.2 总体架构 | 第22-25页 |
| 第二章 窄禁带半导体电子结构特征 | 第25-39页 |
| 2.1 窄禁带半导体材料概述 | 第25-28页 |
| 2.2 传统窄禁带半导体材料的能带特征 | 第28-35页 |
| 2.2.1 能带结构的k·p理论分析 | 第28-29页 |
| 2.2.2 碲镉汞的带结构参数 | 第29-33页 |
| 2.2.3 稀铋铟镓砷的带反交叉特性 | 第33-35页 |
| 2.3 无序对合金体系能带的贡献 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 红外光致发光谱方法和理论 | 第39-57页 |
| 3.1 光致发光谱概述 | 第39-40页 |
| 3.2 红外光致发光谱测量的基本困难 | 第40-45页 |
| 3.2.1 室温环境黑体辐射 | 第40-42页 |
| 3.2.2 探测率衰减 | 第42页 |
| 3.2.3 大气传输窗口 | 第42-45页 |
| 3.3 步进傅立叶变换红外光致发光谱方法 | 第45-46页 |
| 3.3.1 基本原理 | 第45-46页 |
| 3.3.2 锁相探测技术的精度 | 第46页 |
| 3.4 光致发光的相关理论 | 第46-54页 |
| 3.4.1 光致发光谱的动力学过程和跃迁定则 | 第46-49页 |
| 3.4.2 光致发光谱线形考量 | 第49-50页 |
| 3.4.3 变条件光致发光谱的经验性分析范式 | 第50-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 铟镓砷体系的光致发光性质 | 第57-87页 |
| 4.1 带间缺陷能级对光致发光的影响 | 第57-65页 |
| 4.1.1 带内非辐射复合中心 | 第58-59页 |
| 4.1.2 掺杂铟镓砷的变温光致发光猝灭分析 | 第59-65页 |
| 4.2 铟镓砷单量子阱的低温俄歇复合效应 | 第65-73页 |
| 4.2.1 变温度光致发光谱：S形峰值能量移动行为 | 第66-69页 |
| 4.2.2 变温-变激发光致发光谱：主导复合机制的转移 | 第69-71页 |
| 4.2.3 低温俄歇复合增强的机制性分析 | 第71-73页 |
| 4.3 稀铋铟镓砷红外量子阱的变条件光谱性质 | 第73-86页 |
| 4.3.1 变温度光致发光分析 | 第74-77页 |
| 4.3.2 变激发功率光致发光谱分析 | 第77-81页 |
| 4.3.3 空间随机点分析：能量-半宽关联性 | 第81页 |
| 4.3.4 变磁场光致发光谱：高阶朗道能级 | 第81-84页 |
| 4.3.5 稀铋量子阱双峰线形的来源分析 | 第84-86页 |
| 4.4 小结 | 第86-87页 |
| 第五章 碲镉汞磁光-光致发光性质: 分立带边与带尾 | 第87-113页 |
| 5.1 两类不同的碲镉汞光致发光属性 | 第87-88页 |
| 5.2 碲镉汞中的激子效应和类氢原子杂质 | 第88-89页 |
| 5.3 碲镉汞精细光致发光结构的磁光演化 | 第89-102页 |
| 5.3.1 长波砷掺杂碲镉汞：多温度点磁光-光致发光谱 | 第89-98页 |
| 5.3.2 本征碲镉汞退火效应的光谱分析 | 第98-102页 |
| 5.4 碲镉汞干涉性光致发光的磁光 | 第102-111页 |
| 5.4.1 短波碲镉汞光致发光干涉行为的变磁场分析 | 第102-104页 |
| 5.4.2 碲镉汞外延膜光致发光的干涉行为分析 | 第104-108页 |
| 5.4.3 不同温度条件下磁光-光致发光的演化 | 第108-109页 |
| 5.4.4 干涉性光致发光线形演化的机理分析 | 第109-111页 |
| 5.5 碲镉汞带边结构随磁场演化的基本图像 | 第111页 |
| 5.6 本章小结 | 第111-113页 |
| 第六章 碲镉汞-碲化镉异质结构的光致发光性质 | 第113-129页 |
| 6.1 样品与实验配置 | 第114-115页 |
| 6.2 碲镉汞-碲化镉界面的光致发光结构 | 第115-123页 |
| 6.2.1 碲镉汞基本带隙以上的异常高能信号 | 第115-119页 |
| 6.2.2 高能光致发光信号的可能来源机制 | 第119页 |
| 6.2.3 变激发功率光致发光分析 | 第119-121页 |
| 6.2.4 液氮温度光调制反射谱分析 | 第121-122页 |
| 6.2.5 光致发光谱：去除碲化镉层 | 第122-123页 |
| 6.3 碲镉汞-碲化镉价带偏移量与组分的关系 | 第123-124页 |
| 6.4 高能信号产生的可能物理学机制 | 第124-127页 |
| 6.4.1 光生载流子弛豫迁移 | 第125-126页 |
| 6.4.2 俄歇喷泉效应 | 第126-127页 |
| 6.4.3 光生载流子弛豫迁移与俄歇喷泉效应的比较 | 第127页 |
| 6.5 本章小结 | 第127-129页 |
| 6.5.1 光致发光表征的比较优势 | 第128页 |
| 6.5.2 I型带阶的载流子稳定布居 | 第128页 |
| 6.5.3 低密度带边态的可能应用 | 第128-129页 |
| 第七章 总结和展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-147页 |
| 发表文章目录 | 第147-149页 |
| 简历 | 第149-151页 |
| 致谢 | 第151页 |
