二维半导体材料空位及应力对电子结构的影响
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 国内外研究概况 | 第9-14页 |
| 1.2 论文内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 基本理论和计算方法 | 第15-20页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-18页 |
| 2.1.1 Hartree-Fock近似 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Hohenber-Kohn定理 | 第16页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第16-18页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第18页 |
| 2.2 计算软件 | 第18-20页 |
| 2.2.1 主要计算软件(VASP)简介 | 第18页 |
| 2.2.2 VASP计算参数设置 | 第18-20页 |
| 第三章 二维材料能带结构计算 | 第20-26页 |
| 3.1 结构模型 | 第20-21页 |
| 3.2 计算结果 | 第21-25页 |
| 3.3 结论 | 第25-26页 |
| 第四章 二维砷烯空位缺陷的能带结构 | 第26-30页 |
| 4.1 结构模型 | 第26-27页 |
| 4.2 计算结果 | 第27-29页 |
| 4.3 结论 | 第29-30页 |
| 第五章 外加双轴应力对二维材料电子结构的影响 | 第30-38页 |
| 5.1 理论模型 | 第30-31页 |
| 5.2 计算结果与讨论 | 第31-37页 |
| 5.3 结论 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
| 攻读硕士学位期间完成论文情况 | 第44页 |
