C4F8/Ar等离子体刻蚀SiO2的多尺度研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 碳氟气体刻蚀SiO_2的研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 腔室模型研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 极板偏压的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 本文研究内容及结构安排 | 第14-15页 |
| 2 模型介绍 | 第15-26页 |
| 2.1 反应器模型 | 第15-18页 |
| 2.2 鞘层模型 | 第18-24页 |
| 2.2.1 脉冲调制射频等离子体鞘层解析模型 | 第19-22页 |
| 2.2.2 等离子体鞘层混合模型 | 第22-24页 |
| 2.3 刻蚀槽模型 | 第24-26页 |
| 3 脉冲调制射频等离子体鞘层解析研究 | 第26-35页 |
| 3.1 脉冲电流幅值对极板电位和鞘层厚度的影响 | 第26-29页 |
| 3.2 脉冲频率对极板电位和鞘层厚度的影响 | 第29-30页 |
| 3.3 鞘层平均厚度和平均电压随电流的变化关系 | 第30-32页 |
| 3.4 低频阶梯形脉冲源的鞘层性质 | 第32-34页 |
| 3.5 结论 | 第34-35页 |
| 4 CFD-ACE+腔室数值模型及鞘层数值模型 | 第35-43页 |
| 4.1 CFD-ACE+腔室离子密度 | 第35-37页 |
| 4.2 射频等离子体鞘层数值模拟 | 第37-40页 |
| 4.2.1 离子能量分布(IEDs) | 第37-38页 |
| 4.2.2 离子角度分布(IADs) | 第38-40页 |
| 4.3 脉冲调制射频等离子体鞘层数值模拟 | 第40-42页 |
| 4.3.1 离子能量分布(IEDs) | 第40-41页 |
| 4.3.2 离子角度分布(IADs) | 第41-42页 |
| 4.4 结论 | 第42-43页 |
| 5 刻蚀槽形貌演化的研究 | 第43-52页 |
| 5.1 射频等离子体中刻蚀槽形貌的演化 | 第43-49页 |
| 5.2 脉冲调制射频等离子体中刻蚀槽形貌的演化 | 第49-51页 |
| 5.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
