| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 GaN的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本论文的研究内容和意义 | 第10-13页 |
| 第2章 计算原理及计算软件简介 | 第13-17页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第13页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第13-14页 |
| 2.3 光学理论基础 | 第14-15页 |
| 2.3.1 光学常数 | 第14-15页 |
| 2.3.2 介电常数 | 第15页 |
| 2.4 Material Studio简介 | 第15-17页 |
| 2.4.1 CASTEP模块 | 第15-17页 |
| 第3章 第一性原理方法研究纤锌矿和闪锌矿结构的GaN | 第17-29页 |
| 3.1 引言 | 第17页 |
| 3.2 理论模型和计算方法 | 第17-19页 |
| 3.3 计算结果与分析 | 第19-27页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第19-20页 |
| 3.3.2 能带结构和态密度 | 第20-23页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第23-27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第4章 压强和浓度对Mg、Si掺杂GaN的光电性质影响 | 第29-47页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第29-30页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第30-42页 |
| 4.3.1 晶体结构 | 第30-31页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第31-36页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第36-42页 |
| 4.4 Mg-Si共掺杂GaN的光电性质 | 第42-45页 |
| 4.4.1 晶体结构 | 第42页 |
| 4.4.2 电子结构 | 第42-43页 |
| 4.4.3 光学性质 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 压强和浓度对Al和In掺杂GaN的光电性质影响 | 第47-56页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 理论模型和计算方法 | 第47页 |
| 5.3 计算结果与分析 | 第47-54页 |
| 5.3.1 晶体结构 | 第47-48页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第48-50页 |
| 5.3.3 光学性质 | 第50-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第6章 第一性原理方法计算GaN/Zn0光电性质 | 第56-63页 |
| 6.1 引言 | 第56页 |
| 6.2 理论模型和计算方法 | 第56-57页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第57-61页 |
| 6.3.1 晶体结构 | 第57页 |
| 6.3.2 电子结构 | 第57-59页 |
| 6.3.3 光学性质 | 第59-61页 |
| 6.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第7章 全文总结及展望 | 第63-68页 |
| 7.1 本文主要研究工作 | 第63-65页 |
| 7.2 本课题存在的问题及今后研究的设想 | 第65-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
