| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-12页 |
| 第一章 引言 | 第16-25页 |
| 1.1 背景介绍 | 第16-23页 |
| 1.2 本论文的主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 本文用到的实验技术 | 第25-64页 |
| 2.1 光致发光谱 | 第25-35页 |
| 2.1.1 光致发光谱的实验原理 | 第25-35页 |
| 2.1.1.1 光致发光光谱 | 第28-29页 |
| 2.1.1.2 光致发光激发光谱 | 第29-30页 |
| 2.1.1.3 光致发光取向谱 | 第30-34页 |
| 2.1.1.4 时间分辨光致发光谱 | 第34-35页 |
| 2.2 磁场下的光致发光取向实验效应 | 第35-42页 |
| 2.2.1 横向磁场作用下的光致发光取向实验 | 第35-40页 |
| 2.2.1.1 横向磁场作用下的光致发光取向光谱:Hanle效应 | 第35-39页 |
| 2.2.1.2 Hanle谱测试实验配置 | 第39-40页 |
| 2.2.2 纵向磁场作用下的光致发光取向实验 | 第40-42页 |
| 2.2.2.1 纵向磁场作用下的光致发光取向光谱 | 第40-42页 |
| 2.2.2.2 纵向磁场下的光致发光取向实验配置 | 第42页 |
| 2.3 调制光谱 | 第42-51页 |
| 2.3.1 调制反射光谱 | 第44-49页 |
| 2.3.1.1 调制反射谱的实验原理 | 第44-48页 |
| 2.3.1.2 调制反射谱的实验配置 | 第48-49页 |
| 2.3.2 调制反射激发光谱 | 第49-51页 |
| 2.3.2.1 光调制反射激发光谱的实验原理 | 第49-50页 |
| 2.3.2.2 光调制反射激发光谱的实验配置 | 第50-51页 |
| 2.4 拉曼光谱 | 第51-54页 |
| 2.4.1 拉曼光谱的实验原理 | 第51-53页 |
| 2.4.1.1 拉曼散射的经典解释 | 第51-52页 |
| 2.4.1.2 拉曼散射的量子解释 | 第52-53页 |
| 2.4.2 拉曼散射的实验配置 | 第53-54页 |
| 2.5 重要实验仪器介绍 | 第54-64页 |
| 2.5.1 光谱仪 | 第54-61页 |
| 2.5.1.1 Princeton Instruments Trivista System | 第56-60页 |
| 2.5.1.2 卓立汉光Omni-λ300 | 第60-61页 |
| 2.5.2 低温超导磁体 | 第61-62页 |
| 2.5.3 条纹相机 | 第62-64页 |
| 第三章 GaAsSb材料的光学自旋极化性质的研究 | 第64-77页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第65-76页 |
| 3.3 小结 | 第76-77页 |
| 第四章 GaAsSb材料的光自旋极化率的提高 | 第77-88页 |
| 4.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第78-87页 |
| 4.3 小结 | 第87-88页 |
| 第五章 GaAsSb的光生载流子动力学研究 | 第88-100页 |
| 5.1 引言 | 第88页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第88-98页 |
| 5.3 小结 | 第98-100页 |
| 第六章 GaAsBi材料的E0与E0+ΔSO跃迁研究 | 第100-109页 |
| 6.1 引言 | 第100-101页 |
| 6.2 实验结果与讨论 | 第101-108页 |
| 6.3 小结 | 第108-109页 |
| 第七章 GaAsBi材料内部振动模式研究 | 第109-114页 |
| 7.1 引言 | 第109-110页 |
| 7.2 实验结果与讨论 | 第110-113页 |
| 7.3 小结 | 第113-114页 |
| 第八章 总结与展望 | 第114-116页 |
| 8.1 总结 | 第114-115页 |
| 8.2 展望 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-131页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第131-132页 |
