| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-16页 |
| 1.2.1 二硫化钼的结构及其制备 | 第8-10页 |
| 1.2.2 二硫化钼的拉曼表征 | 第10-11页 |
| 1.2.3 二硫化钼的能带结构 | 第11-12页 |
| 1.2.4 TMDCs材料中的激子性质探究 | 第12-16页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 薄层二硫化钼的制备与层数表征 | 第17-26页 |
| 2.1 引言 | 第17-18页 |
| 2.2 不同衬底上薄层二硫化钼的制备 | 第18-25页 |
| 2.2.1 Si/SiO_2衬底上薄层二硫化钼中的制备 | 第18-20页 |
| 2.2.2 Si_3N_4衬底上薄层二硫化钼中的制备 | 第20-24页 |
| 2.2.3 Al_2O_3衬底上薄层二硫化钼中的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 薄层二硫化钼的拉曼特性 | 第26-33页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 拉曼散射特性 | 第26-27页 |
| 3.3 不同层数薄层二硫化钼的拉曼特性 | 第27-31页 |
| 3.3.1 SiO_2/Si衬底上薄层二硫化钼的拉曼光谱 | 第27-28页 |
| 3.3.2 Al_2O_3衬底上薄层二硫化钼的拉曼光谱 | 第28-30页 |
| 3.3.3 Si_3N_4衬底上薄层二硫化钼的拉曼光谱 | 第30-31页 |
| 3.4 不同衬底薄层二硫化钼的拉曼特性 | 第31-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 薄层二硫化钼的激子特性 | 第33-45页 |
| 4.1 引言 | 第33-34页 |
| 4.2 荧光测量的光路 | 第34-37页 |
| 4.3 二硫化钼中的激子特性分析 | 第37-44页 |
| 4.3.1 荧光光谱的分峰处理 | 第37-38页 |
| 4.3.2 A~-激子的性质分析 | 第38-39页 |
| 4.3.3 A激子与B激子性质分析 | 第39-42页 |
| 4.3.4 介电环境对二硫化钼衬底上PL峰强度影响的探究 | 第42-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
