| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 课题背景与研究目的 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第12-24页 |
| 1.2.1 阳极键合技术 | 第12-14页 |
| 1.2.2 湿化学法键合技术 | 第14-16页 |
| 1.2.3 等离子体法键合技术 | 第16-17页 |
| 1.2.4 表面活化法键合技术 | 第17-20页 |
| 1.2.5 紫外光活化键合技术 | 第20-23页 |
| 1.2.6 国内外文献综述简析 | 第23-24页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 实验材料及实验方法 | 第25-34页 |
| 2.1 实验过程概述 | 第25-26页 |
| 2.2 实验材料 | 第26页 |
| 2.3 实验方法 | 第26-32页 |
| 2.3.1 预键合实验 | 第26页 |
| 2.3.2 低温退火实验 | 第26-28页 |
| 2.3.3 拉拔测试实验 | 第28-29页 |
| 2.3.4 AFM测试实验 | 第29页 |
| 2.3.5 XPS测试实验 | 第29-30页 |
| 2.3.6 润湿角测试实验 | 第30页 |
| 2.3.7 SEM测试实验 | 第30-31页 |
| 2.3.8 TEM测试实验 | 第31-32页 |
| 2.4 实验设备 | 第32-34页 |
| 2.4.1 预键合实验设备 | 第32页 |
| 2.4.2 低温退火实验设备 | 第32页 |
| 2.4.3 拉拔测试实验设备 | 第32页 |
| 2.4.4 AFM测试实验设备 | 第32-33页 |
| 2.4.5 XPS测试实验设备 | 第33页 |
| 2.4.6 润湿角测试实验设备 | 第33页 |
| 2.4.7 SEM测试实验设备 | 第33页 |
| 2.4.8 TEM测试实验设备 | 第33-34页 |
| 第3章 活化装置的搭建及其对晶圆表面的影响 | 第34-50页 |
| 3.1 活化装置的搭建 | 第34-37页 |
| 3.1.1 活化装置的功能 | 第35页 |
| 3.1.2 活化装置的搭建 | 第35-37页 |
| 3.2 真空紫外光对晶圆表面粗糙度的影响 | 第37-41页 |
| 3.2.1 真空紫外光对硅表面粗糙度的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.2 真空紫外光对石英玻璃表面粗糙度的影响 | 第38-41页 |
| 3.3 真空紫外光对晶圆表面化学键的影响 | 第41-45页 |
| 3.3.1 真空紫外光对硅表面化学键的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.2 真空紫外光对石英玻璃表面化学键的影响 | 第43-45页 |
| 3.4 真空紫外光对晶圆表面润湿性的影响 | 第45-49页 |
| 3.4.1 真空紫外光对硅表面润湿性的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.2 真空紫外光对石英玻璃表面润湿性的影响 | 第47-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 硅基晶圆低温键合工艺研究 | 第50-67页 |
| 4.1 预键合影响因素探究 | 第50-54页 |
| 4.1.1 光照时间对预键合面积的影响 | 第50-52页 |
| 4.1.2 环境湿度对预键合面积的影响 | 第52-54页 |
| 4.2 退火工艺曲线设计 | 第54-63页 |
| 4.2.1 硅/石英玻璃退火工艺曲线设计 | 第54-62页 |
| 4.2.2 石英玻璃/石英玻璃退火工艺曲线设计 | 第62-63页 |
| 4.3 退火温度对键合强度的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.1 退火温度对硅/石英玻璃键合强度的影响 | 第63-64页 |
| 4.3.2 退火温度对石英玻璃/石英玻璃键合强度的影响 | 第64-65页 |
| 4.4 键合工艺对石英玻璃/石英玻璃透光率的影响 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 VUV表面活化低温直接键合机理研究 | 第67-82页 |
| 5.1 硅基晶圆键合界面微观分析 | 第67-71页 |
| 5.1.1 硅/石英玻璃界面SEM分析 | 第67页 |
| 5.1.2 硅/石英玻璃界面TEM分析 | 第67-69页 |
| 5.1.3 石英玻璃/石英玻璃界面SEM分析 | 第69页 |
| 5.1.4 石英玻璃/石英玻璃界面TEM分析 | 第69-71页 |
| 5.2 真空紫外光与硅基晶圆表面相互作用机理 | 第71-74页 |
| 5.2.1 真空紫外光与硅表面作用机理分析 | 第71-72页 |
| 5.2.2 真空紫外光与石英玻璃表面作用机理分析 | 第72-74页 |
| 5.3 水分子对晶片表面的作用机理分析 | 第74-77页 |
| 5.3.1 预键合中水化层的作用机理分析 | 第74-76页 |
| 5.3.2 低温退火过程中水化层的作用机理分析 | 第76-77页 |
| 5.4 真空紫外光低温直接键合模型 | 第77-81页 |
| 5.4.1 硅/石英玻璃直接键合模型 | 第77-79页 |
| 5.4.2 石英玻璃/石英玻璃直接键合模型 | 第79-81页 |
| 5.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90页 |