| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 图目录 | 第14-16页 |
| 表目录 | 第16-18页 |
| 1 绪论 | 第18-44页 |
| 1.1 太阳能级硅材料及其性质 | 第19-24页 |
| 1.1.1 硅材料 | 第19-20页 |
| 1.1.2 硅中杂质对太阳能电池电学性能的影响 | 第20-21页 |
| 1.1.3 硅中杂质的物理化学性质 | 第21-24页 |
| 1.2 太阳能级多晶硅的制备方法 | 第24-32页 |
| 1.2.1 化学法 | 第24-26页 |
| 1.2.2 冶金法 | 第26-32页 |
| 1.3 硅合金凝固精炼方法 | 第32-42页 |
| 1.3.1 合金凝固精炼方法的原理 | 第32-34页 |
| 1.3.2 熔剂金属的选择依据 | 第34-36页 |
| 1.3.3 合金凝固精炼方法的研究现状 | 第36-40页 |
| 1.3.4 初晶硅分离方法 | 第40-42页 |
| 1.4 本论文的选题依据与研究内容和意义 | 第42-44页 |
| 2 Si-Al二元合金凝固过程及B杂质分凝行为的研究 | 第44-63页 |
| 2.1 引言 | 第44页 |
| 2.2 实验 | 第44-49页 |
| 2.2.1 实验原料和设备 | 第44-46页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第46-47页 |
| 2.2.3 分析设备和分析方法 | 第47-49页 |
| 2.3 Si-Al合金凝固过程和B杂质分凝行为的研究 | 第49-61页 |
| 2.3.1 影响B杂质分凝行为的重要因素 | 第49-52页 |
| 2.3.2 不同凝固阶段对B杂质分凝行为的影响 | 第52-60页 |
| 2.3.3 Si-Al合金凝固精炼后B杂质分布特点 | 第60-61页 |
| 2.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 3 Si-Al二元合金凝固精炼去除冶金硅中B杂质的研究 | 第63-80页 |
| 3.1 引言 | 第63页 |
| 3.2 实验 | 第63-68页 |
| 3.2.1 实验原料和设备 | 第63-64页 |
| 3.2.2 实验方法 | 第64-67页 |
| 3.2.3 分析设备和分析方法 | 第67-68页 |
| 3.3 Si-Al合金凝固精炼去除冶金硅中B杂质的研究 | 第68-79页 |
| 3.3.1 熔炼坩埚的选择依据和使用情况 | 第68-73页 |
| 3.3.2 合金成分对B杂质分凝去除效果的影响及机理 | 第73-75页 |
| 3.3.3 不同凝固阶段下冷却速度的影响 | 第75-78页 |
| 3.3.4 合金凝固精炼强化过程对冶金硅的提纯效果 | 第78-79页 |
| 3.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 4 Si-Al-Sn三元合金凝固过程及B杂质分凝行为的研究 | 第80-88页 |
| 4.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.2 实验 | 第81页 |
| 4.2.1 实验原料和设备 | 第81页 |
| 4.2.2 实验方法 | 第81页 |
| 4.2.3 分析设备和分析方法 | 第81页 |
| 4.3 Si-Al-Sn三元合金凝固过程和B杂质分布的研究 | 第81-87页 |
| 4.3.1 Si-Al-Sn合金凝固过程的分析 | 第81-84页 |
| 4.3.2 Si-Al-Sn合金凝固精炼后B杂质的分布特点 | 第84-85页 |
| 4.3.3 合金形貌演变规律分析 | 第85-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 5 Si-Al-Sn三元合金凝固精炼去除冶金硅中B杂质的研究 | 第88-103页 |
| 5.1 引言 | 第88页 |
| 5.2 实验 | 第88-93页 |
| 5.2.1 实验原料和设备 | 第88-91页 |
| 5.2.2 实验方法 | 第91-92页 |
| 5.2.3 分析设备和分析方法 | 第92-93页 |
| 5.3 Al-Sn合金熔体中B杂质热力学性质的研究 | 第93-100页 |
| 5.3.1 相平衡时间的确定 | 第93-94页 |
| 5.3.2 Al-Sn熔体中B杂质溶解度的测定 | 第94-95页 |
| 5.3.3 Al-Sn-B体系中平衡相的确定 | 第95-97页 |
| 5.3.4 B杂质活度系数的计算和Al、Sn作用效果分析 | 第97-100页 |
| 5.4 Si-Al、Si-Sn、Si-Al-Sn合金凝固精炼去除冶金硅中B杂质的研究 | 第100-101页 |
| 5.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 6 Si-Al-Sn三元合金熔体定向生长块体Si的研究 | 第103-122页 |
| 6.1 引言 | 第103页 |
| 6.2 实验 | 第103-107页 |
| 6.2.1 实验原料和设备 | 第103-105页 |
| 6.2.2 实验方法 | 第105-107页 |
| 6.2.3 分析设备和分析方法 | 第107页 |
| 6.3 Si-Al-Sn合金熔体中块体Si定向生长的理论分析 | 第107-110页 |
| 6.4 Si-Al-Sn合金熔体中块体Si的定向生长行为 | 第110-119页 |
| 6.4.1 冷却速度对块体Si生长行为的影响及机理 | 第112-114页 |
| 6.4.2 合金成分对块体Si生长速度的影响及机理 | 第114-115页 |
| 6.4.3 G/R值对块体Si凝固界面形貌的影响 | 第115-116页 |
| 6.4.4 对比二元、三元合金熔体中块体Si生长情况 | 第116-119页 |
| 6.5 块体Si微观组织结构和杂质含量分析 | 第119-121页 |
| 6.6 本章小结 | 第121-122页 |
| 7 结论与展望 | 第122-125页 |
| 7.1 结论 | 第122-123页 |
| 7.2 创新点摘要 | 第123页 |
| 7.3 展望 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-134页 |
| 附录A 硼杂质有效分凝系数的推导 | 第134-135页 |
| 附录B Si-Al合金体系中用于计算G/R值的相关数据 | 第135-136页 |
| 附录C Si-Sn合金体系中用于计算G/R值的相关数据 | 第136-137页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 作者简介 | 第140页 |
