荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第14-16页 |
| 1.2 辐照效应研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.1 InP材料研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.2 GaN材料研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文研究内容及安排 | 第20-22页 |
| 第二章 荷能离子与固体相互作用机理 | 第22-26页 |
| 2.1 快重离子与固体相互作用 | 第22-24页 |
| 2.2 高电荷态离子与固体相互作用 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 样品制备、样品辐照及样品表征 | 第26-34页 |
| 3.1 样品制备 | 第26页 |
| 3.2 样品辐照 | 第26-29页 |
| 3.2.1 快重离子辐照实验 | 第26-29页 |
| 3.2.2 高电荷态离子辐照 | 第29页 |
| 3.3 样品表征 | 第29-33页 |
| 3.3.1 透射电镜（TEM） | 第30-32页 |
| 3.3.2 拉曼光谱（Raman） | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 快重离子辐照实验研究 | 第34-57页 |
| 4.1 引言 | 第34-36页 |
| 4.1.1 材料中的原生缺陷 | 第34-35页 |
| 4.1.2 辐照引起的缺陷 | 第35-36页 |
| 4.2 InP晶体形貌和结构的研究 | 第36-45页 |
| 4.3 GaN晶体形貌和结构的研究 | 第45-54页 |
| 4.4 InP和GaN中引起的辐照效应的对比 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 高电荷态离子辐照实验研究 | 第57-63页 |
| 5.1 InP晶体结构和表面形貌的研究 | 第57-60页 |
| 5.2 GaN晶体结构和表面形貌的研究 | 第60-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 6.1 主要结论 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 作者简介及发表的学术论文 | 第73-74页 |
