| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 碳化硅晶体材料 | 第10-13页 |
| 1.2 碳化硅MEMS器件 | 第13-14页 |
| 1.3 碳化硅MEMS工艺 | 第14-15页 |
| 1.4 碳化硅欧姆接触形成 | 第15-22页 |
| 1.5 碳化硅欧姆接触形成机理 | 第22-27页 |
| 1.5.1 镍系欧姆接触形成机理 | 第22-24页 |
| 1.5.2 钛系欧姆接触形成机理 | 第24-26页 |
| 1.5.3 铝系欧姆接触形成机理 | 第26-27页 |
| 1.6 碳化硅欧姆接触高温热稳定性 | 第27-31页 |
| 1.7 选题依据及论文的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第二章 样品制备及表征 | 第33-47页 |
| 2.1 样品制备 | 第33-37页 |
| 2.2 样品表征 | 第37-39页 |
| 2.3 比接触电阻率测试方法 | 第39-46页 |
| 2.3.1 线性传输线模型 | 第40-41页 |
| 2.3.2 圆点传输线模型 | 第41-43页 |
| 2.3.3 圆环传输线模型 | 第43-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 退火方式对半绝缘 4H-SiC接触性能的影响 | 第47-62页 |
| 3.1 半绝缘 4H-SiC欧姆接触的制备 | 第47-50页 |
| 3.2 沉积态Ni/SiC表征 | 第50-51页 |
| 3.3 RTA处理后Ni/Si C表征 | 第51-52页 |
| 3.4 LSA处理后Si C衬底表征 | 第52-55页 |
| 3.4.1 激光对SiC衬底影响 | 第53页 |
| 3.4.2 激光处理对SiC衬底电学影响 | 第53-55页 |
| 3.5 LSA处理后Ni/SiC表征 | 第55-60页 |
| 3.5.1 LSA欧姆接触电学性质 | 第55-57页 |
| 3.5.2 LSA欧姆接触机理 | 第57-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第四章 导电SiC欧姆接触高温热稳定性研究 | 第62-78页 |
| 4.1 导电SiC欧姆接触制备 | 第62-66页 |
| 4.1.1 金属层的选择依据 | 第62-63页 |
| 4.1.2 导电SiC欧姆接触制备工艺 | 第63-66页 |
| 4.2 金属层性能研究 | 第66-69页 |
| 4.3 Pt/Si/Ta/Ti/SiC电学特性 | 第69-72页 |
| 4.3.1 I-V特性 | 第69-70页 |
| 4.3.2 热稳定特性 | 第70-72页 |
| 4.4 表征分析 | 第72-75页 |
| 4.5 高温稳定性退化机理的研究 | 第75-77页 |
| 4.6 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 总结 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-90页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第90页 |