| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 图目录 | 第12-14页 |
| 表目录 | 第14-15页 |
| 主要符号表 | 第15-16页 |
| 1 绪论 | 第16-36页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-21页 |
| 1.2 SiC/SiO_2界面的研究进展与挑战 | 第21-33页 |
| 1.3 研究思想及内容 | 第33-36页 |
| 2 SiC/SiO_2界面的形成机理研究 | 第36-57页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 理论方法 | 第37-38页 |
| 2.3 完美SiC表面上SiO_2膜的生长机理 | 第38-47页 |
| 2.3.1 完美SiC表面模型 | 第38-39页 |
| 2.3.2 氧原子在SiC最表面的氧化行为 | 第39-41页 |
| 2.3.3 氧原子在SiC次表面的氧化行为 | 第41-45页 |
| 2.3.4 完美SiC表面的热氧化相图 | 第45-47页 |
| 2.4 台阶SiC表面上SiO_2膜的生长机理 | 第47-55页 |
| 2.4.1 台阶SiC表面模型 | 第47-48页 |
| 2.4.2 台阶SiC表面氧化的动力学过程 | 第48-50页 |
| 2.4.3 台阶SiC表面氧化的热力学相图 | 第50-52页 |
| 2.4.4 表面台阶对SiC-MOS器件性能的影响 | 第52-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 3 SiC/SiO_2界面的结构与组成研究 | 第57-75页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 SiC/SiO_2界面结构的ARXPS测试 | 第58-65页 |
| 3.2.1 SiC/SiO_2界面结构的制备 | 第58-59页 |
| 3.2.2 界面结构的ARXPS分析 | 第59-65页 |
| 3.3 SiC/SiO_2界面原子结构的理论模拟 | 第65-70页 |
| 3.3.1 计算模拟方法 | 第65-66页 |
| 3.3.2 SiC/SiO_2界面的原子结构 | 第66-70页 |
| 3.4 SiC/SiO_2界面组成的理论与实验对比 | 第70-74页 |
| 3.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 4 SiC/SiO_2界面缺陷及其电子态结构研究 | 第75-103页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第76-82页 |
| 4.3 碳原子相关缺陷的电子态结构分析 | 第82-90页 |
| 4.3.1 氧化层中单碳缺陷的电子态结构 | 第82-85页 |
| 4.3.2 氧化层中碳二聚物的缺陷态能级 | 第85-88页 |
| 4.3.3 SiC衬底附近碳二聚物的缺陷态能级 | 第88-90页 |
| 4.4 间隙硅原子的缺陷态能级 | 第90-91页 |
| 4.5 氮相关缺陷的电子态结构分析 | 第91-94页 |
| 4.6 间隙氢原子的缺陷态能级 | 第94-96页 |
| 4.7 SiC/SiO_2界面缺陷对界面态的贡献 | 第96-97页 |
| 4.8 SiC/SiO_2界面过渡层的电子态结构分析 | 第97-101页 |
| 4.8.1 界面过渡层的原子构型 | 第97-99页 |
| 4.8.2 界面过渡层的电子态结构 | 第99-101页 |
| 4.9 本章小结 | 第101-103页 |
| 5 SiC/SiO_2界面缺陷的磷钝化机理研究 | 第103-114页 |
| 5.1 引言 | 第103-104页 |
| 5.2 SiC表面硅悬挂键的磷钝化机理 | 第104-109页 |
| 5.3 SiC/SiO_2界面缺陷的磷钝化机理 | 第109-112页 |
| 5.4 本章小结 | 第112-114页 |
| 6 结论与展望 | 第114-117页 |
| 6.1 结论 | 第114-116页 |
| 6.2 创新点摘要 | 第116页 |
| 6.3 展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-127页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 作者简介 | 第130-131页 |
