| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 InP晶体材料的基本结构和性质 | 第10-12页 |
| 1.2 三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的研究概况 | 第12-15页 |
| 1.2.1 三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的研究意义 | 第12页 |
| 1.2.2 三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的生长 | 第13-14页 |
| 1.2.4 三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 第一性原理方法 | 第15-18页 |
| 1.3.1 关于第一性原理方法 | 第15页 |
| 1.3.2 第一性原理计算常用软件包 | 第15-18页 |
| 1.4 本文研究目标与主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第19-24页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第19-22页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第20-21页 |
| 2.1.3 交换关联泛函 | 第21-22页 |
| 2.2 有效质量 | 第22-23页 |
| 2.3 光学常数 | 第23-24页 |
| 第三章 三元混晶Ga_xIn_(1-x)P的电子能带结构和有效质量 | 第24-34页 |
| 3.1 计算模型与计算方法 | 第24-25页 |
| 3.2 能带结构和有效质量 | 第25-33页 |
| 3.2.1 晶格常数随组分的变化情况 | 第25-26页 |
| 3.2.2 能带结构及带隙随组分的变化情况 | 第26-29页 |
| 3.2.3 有效质量随组分的变化情况 | 第29-31页 |
| 3.2.4 混晶体系Ga_xIn_(1-x)P的光学性质 | 第31-33页 |
| 3.3 总结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 致谢 | 第38-39页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第39页 |
