| 致谢 | 第6-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 高折射率材料在窄带通滤光片中的重要性 | 第12-20页 |
| 1.3 红外高折射率材料碲化铅的应用与不足 | 第20-26页 |
| 1.4 碲锗铅材料及其在提高红外带通滤光片温度稳定性中的应用 | 第26-29页 |
| 1.5 本项研究的目的、内容和取得的成果 | 第29-32页 |
| 第二章 碲锗铅材料的生长与组分均匀性研究 | 第32-54页 |
| 2.1 引言 | 第32-34页 |
| 2.2 碲锗铅材料的生长方法——垂直Bridgman法 | 第34-37页 |
| 2.3 晶体生长过程中的成分分凝与偏析及其控制原理 | 第37-42页 |
| 2.4 Bridgman法生长碲锗铅晶体过程的数值分析 | 第42-46页 |
| 2.5 碲锗铅材料的生长工艺流程及组分均匀性研究的技术路线 | 第46-51页 |
| 2.5.1 配料 | 第47-48页 |
| 2.5.2 合成 | 第48-49页 |
| 2.5.3 晶体生长 | 第49-50页 |
| 2.5.4 切片 | 第50页 |
| 2.5.5 碲锗铅材料组分均匀性的分析 | 第50-51页 |
| 2.6 研究取得的结果及碲锗铅材料的生产 | 第51-53页 |
| 2.7 小结 | 第53-54页 |
| 第三章 碲锗铅薄膜的组分一致性、相关性和高压多相性研究 | 第54-67页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 碲锗铅薄膜的沉积与表征 | 第54-57页 |
| 3.3 碲锗铅薄膜的组分一致性与相关性 | 第57-61页 |
| 3.4 碲锗铅薄膜的晶体结构与高压多相性 | 第61-65页 |
| 3.5 小结 | 第65-67页 |
| 第四章 长波红外碲锗铅薄膜力学性能及其Hall-Petch关系的研究 | 第67-84页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 薄膜力学性能与测量方法 | 第67-74页 |
| 4.2.1 薄膜的硬度与弹性模量 | 第68页 |
| 4.2.2 纳米压痕技术 | 第68-71页 |
| 4.2.3 薄膜的附着力 | 第71-72页 |
| 4.2.4 直接拉脱法测量碲锗铅薄膜的附着力 | 第72-74页 |
| 4.3 长波红外碲锗铅薄膜的硬度与杨氏模量 | 第74-78页 |
| 4.4 长波红外碲锗铅薄膜中Hall-Petch关系的研究 | 第78-80页 |
| 4.5 长波红外碲锗铅薄膜与锗基片的附着力 | 第80-82页 |
| 4.7 小结 | 第82-84页 |
| 第五章 中波红外碲锗铅薄膜及其在提高窄带滤光片带宽性能中的应用 | 第84-101页 |
| 5.1 引言 | 第84-85页 |
| 5.2 薄膜光学常数的确定 | 第85-90页 |
| 5.3 不同组分碲锗铅薄膜光学常数的研究 | 第90-94页 |
| 5.3.1 实验 | 第90-91页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第91-94页 |
| 5.4 基片温度对碲锗铅薄膜晶体结构、元素浓度、表面形貌和光学常数的影响 | 第94-98页 |
| 5.4.1 实验 | 第94-95页 |
| 5.4.2 结果与讨论 | 第95-98页 |
| 5.5 使用中波红外碲锗铅材料提高窄带滤光片带宽性能的探讨 | 第98-99页 |
| 5.6 小结 | 第99-101页 |
| 第六章 总结与展望 | 第101-107页 |
| 6.1 引言 | 第101页 |
| 6.2 红外高折射率材料碲锡铅的研究 | 第101-103页 |
| 6.3 无铅红外高折射率材料的研究 | 第103-105页 |
| 6.4 关于降低红外高折射率材料载流子浓度的思考 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和申请的专利 | 第116-117页 |
| 作者简历 | 第117页 |
