当前位置：
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
固体物理学
--
薄膜物理学
--
薄膜的生长、结构和外延
单相Ag2O光存储和磁光存储薄膜的射频磁控溅射研究
金刚石基LiNbO3压电薄膜的制备与声表面波性能研究
磁控溅射法AlN/ZnO薄膜的制备及其表征
磷掺杂p型氧化锌薄膜的制备与性能研究
沉积条件对CVD金刚石膜生长及其掺杂影响的研究
钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备与电化学研究
oBN薄膜的制备及BN膜对生物接种丝的表面改性
硫化镉敏化二氧化钛纳米棒阵列的制备及其光电特性研究
多孔氧化锌的合成及其光催化性能
稀土掺杂氟化物上转换薄膜的制备及其性能研究
直流磁控溅射制备ITO薄膜及增透效果的研究
磁控溅射与PECVD方法制备SiGe-SiO2薄膜
真空阴极弧制备TiAlN薄膜的工艺及性能研究
水溶液中Sm-Co薄膜的电化学制备研究
PVDF及其电解质的结构和性能研究
Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的电畴结构及其翻转
脉冲激光沉积法制备大面积Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的研究
镧与锰掺杂铁酸铋铁电薄膜的制备工艺与性能研究
界面层对CMN/CT叠层薄膜结构和介电性能的影响
WO3-Pd复合薄膜的制备及其在氢气检测中的应用
氮化物薄膜的制备及其结构与性能研究
GdCo系薄膜的制备及其磁光性能研究
Ba0.8Sr0.2TiO3/CoFe2O4多铁薄膜的制备及性能研究
激光制备铌掺杂二氧化钛基透明导电薄膜
LSCO/PZT/LSCO集成铁铁薄膜生长性能研究
激光MBE生长BN和AlN薄膜材料及光电性质研究
化学沉积法制备CuInS2薄膜及性能研究
CuInSe2/Cu（In，Ga）Se2薄膜的电沉积制备及其性能
溅射法制备ZnO薄膜及其表面统计特性
掺杂Ga2O3薄膜的理论与实验研究
铁酸锶镧薄膜的制备及其电学性能的表征
(100)-取向Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜低温制备与压电性能研究
Sr2FeMoO6复合体系的制备和物理性能研究
Mn对BiFeO3基薄膜结构及性能的影响研究
制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究
超导NbN、NbTi薄膜及其相关器件的制备研究
Si衬底上GaN厚膜生长及Cr掺杂GaN性质研究
新型MPCVD装置制备大面积纳米金刚石薄膜的研究
新型MPCVD装置制备大面积金刚石膜的研究
磁控溅射制备MoS2基复合薄膜的结构与性能研究
本底真空度和残余气体对金属薄膜淀积的影响
双源真空共蒸发制备稀土掺杂CdTe薄膜
单源真空共蒸发制备CuInS2光伏薄膜
钒酸铋薄膜的合成和性质研究
水溶性均匀粒径和核—壳—壳结构量子点的合成表征及与石墨烯杂化薄膜的沉积
稀磁半导体薄膜低温输运性质研究
宽光谱监控电子束蒸发薄膜制备系统的研制与应用
射频等离子体化学气相沉积制备硅基发光薄膜的过程和性能研究
光学薄膜微结构制造方法研究
用不同溅射方法镀制SiO2薄膜光学特性的研究
上一页
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
下一页
