中文摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
·金刚石的结构、性质及应用 | 第11-13页 |
·人工合成金刚石的历史和现状 | 第13-14页 |
·CVD金刚石膜常见制备方法简介 | 第14-16页 |
·热灯丝化学气相沉积(HFCVD) | 第14-15页 |
·微波等离子体法(MPCVD) | 第15页 |
·直流等离子体喷射法 | 第15-16页 |
·直流热阴极法 | 第16页 |
·表征方法 | 第16-18页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第16-17页 |
·X射线衍射(XRD) | 第17页 |
·激光拉曼光谱(Raman Spectroscopy) | 第17-18页 |
·光发射谱(OES) | 第18页 |
·论文选题及主要内容 | 第18-20页 |
第二章 CVD金刚石膜的成核与生长简介 | 第20-27页 |
·碳的P-T相图及气相反应过程 | 第20-21页 |
·成核 | 第21-24页 |
·薄膜生长 | 第24-27页 |
第三章 沉积条件对MPCVD金刚石膜生长的影响 | 第27-47页 |
·本实验使用的MPCVD装置 | 第27-29页 |
·甲烷浓度对金刚石生长的影响 | 第29-34页 |
·微波功率对金刚石生长的影响 | 第34-38页 |
·氧气对金刚石膜生长的影响 | 第38-42页 |
·氮气的作用 | 第42-44页 |
·压强作用 | 第44-45页 |
·本章小结 | 第45-47页 |
第四章 硼、氮对热灯丝CVD金刚石膜生长的影响 | 第47-60页 |
·电子辅助热丝化学气相沉积(EA-CVD)简介 | 第47-49页 |
·氮掺杂金刚石膜的制备 | 第49-51页 |
·硼对掺氮金刚石膜的影响 | 第51-56页 |
·硼流量为5 sccm | 第51-53页 |
·硼流量为10 sccm | 第53-56页 |
·无偏压下硼氮共掺杂金刚石薄膜 | 第56-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第五章 全文总结 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-69页 |
攻读硕士期间发表和提交的论文与专利 | 第69-70页 |
致谢 | 第70页 |