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沉积条件对CVD金刚石膜生长及其掺杂影响的研究

中文摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-20页
   ·金刚石的结构、性质及应用第11-13页
   ·人工合成金刚石的历史和现状第13-14页
   ·CVD金刚石膜常见制备方法简介第14-16页
     ·热灯丝化学气相沉积(HFCVD)第14-15页
     ·微波等离子体法(MPCVD)第15页
     ·直流等离子体喷射法第15-16页
     ·直流热阴极法第16页
   ·表征方法第16-18页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第16-17页
     ·X射线衍射(XRD)第17页
     ·激光拉曼光谱(Raman Spectroscopy)第17-18页
     ·光发射谱(OES)第18页
   ·论文选题及主要内容第18-20页
第二章 CVD金刚石膜的成核与生长简介第20-27页
   ·碳的P-T相图及气相反应过程第20-21页
   ·成核第21-24页
   ·薄膜生长第24-27页
第三章 沉积条件对MPCVD金刚石膜生长的影响第27-47页
   ·本实验使用的MPCVD装置第27-29页
   ·甲烷浓度对金刚石生长的影响第29-34页
   ·微波功率对金刚石生长的影响第34-38页
   ·氧气对金刚石膜生长的影响第38-42页
   ·氮气的作用第42-44页
   ·压强作用第44-45页
   ·本章小结第45-47页
第四章 硼、氮对热灯丝CVD金刚石膜生长的影响第47-60页
   ·电子辅助热丝化学气相沉积(EA-CVD)简介第47-49页
   ·氮掺杂金刚石膜的制备第49-51页
   ·硼对掺氮金刚石膜的影响第51-56页
     ·硼流量为5 sccm第51-53页
     ·硼流量为10 sccm第53-56页
   ·无偏压下硼氮共掺杂金刚石薄膜第56-59页
   ·本章小结第59-60页
第五章 全文总结第60-62页
参考文献第62-69页
攻读硕士期间发表和提交的论文与专利第69-70页
致谢第70页

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