| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·磁控溅射技术及等离子体增强化学气相沉积技术的发展及研究进展 | 第7-9页 |
| ·半导体材料 | 第9-12页 |
| ·太阳能电池 | 第12-16页 |
| ·光学薄膜 | 第16-18页 |
| ·本论文的研究的主要内容及章节安排 | 第18-19页 |
| 第二章 磁控溅射及等离子体增强化学气相沉积的工作原理简介 | 第19-25页 |
| ·磁控溅射的工作原理 | 第19-20页 |
| ·控溅射技术的特性及应用 | 第20-22页 |
| ·PECVD的工作原理 | 第22-23页 |
| ·PECVD技术的特性及应用 | 第23-25页 |
| 第三章 磁控溅射与PECVD方法制备SiGe-SiO_2薄膜 | 第25-31页 |
| ·实验设备简介 | 第25-27页 |
| ·实验所用材料介绍 | 第27-28页 |
| ·试验样品预处理 | 第28页 |
| ·实验过程及工艺参数 | 第28-31页 |
| 第四章 针对制备SiGe-SiO_2薄膜的测试及分析 | 第31-43页 |
| ·用于薄膜测试分析的设备简介 | 第31-34页 |
| ·实验测试结果 | 第34-43页 |
| 结论与展望 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |