| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·金刚石的结构 | 第12-13页 |
| ·金刚石的主要性质及其应用 | 第13-18页 |
| ·力学和热学性质 | 第13-15页 |
| ·光学和电学性质 | 第15-16页 |
| ·声学性质 | 第16页 |
| ·化学性质 | 第16-17页 |
| ·金刚石的应用 | 第17-18页 |
| ·CVD 金刚石的生长机理 | 第18-22页 |
| ·碳的P-T 相图 | 第18-19页 |
| ·CVD 金刚石的生长过程 | 第19-20页 |
| ·原子氢（H）的作用 | 第20-22页 |
| ·掺硼金刚石在电化学方面的应用 | 第22-24页 |
| ·论文的选题及主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 金刚石薄膜的制备及其表征 | 第26-32页 |
| ·化学气相沉积(CVD)金刚石膜的制备技术简介 | 第26-28页 |
| ·热丝CVD 法（HFCVD） | 第26-27页 |
| ·微波等离子体CVD 法（MPCVD） | 第27页 |
| ·直流热阴极PCVD 法（DC-PCVD） | 第27页 |
| ·直流等离子体喷射CVD 法（DCjetCVD） | 第27-28页 |
| ·CVD 金刚石膜的主要表征方法 | 第28-32页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第29页 |
| ·拉曼光谱（Raman Spectroscopy） | 第29-30页 |
| ·X 射线衍射光谱（XRD） | 第30-32页 |
| 第三章 用MPCVD 法在Ti 衬底上沉积掺硼金刚石薄膜 | 第32-55页 |
| ·金属钛的性质 | 第32页 |
| ·实验装置 | 第32-35页 |
| ·影响金刚石薄膜生长的主要因素 | 第35-37页 |
| ·碳源浓度 | 第35页 |
| ·微波功率 | 第35-36页 |
| ·气体压强 | 第36页 |
| ·衬底材料 | 第36-37页 |
| ·衬底预处理 | 第37页 |
| ·Ti/BDD 薄膜的制备 | 第37-40页 |
| ·Ti 衬底的预处理 | 第38页 |
| ·制备工艺参数 | 第38-40页 |
| ·不同Ti 衬底对掺硼金刚石薄膜的影响 | 第40-45页 |
| ·不同Ti 衬底表面对BDD 膜的形貌的影响 | 第40-43页 |
| ·不同Ti 衬底表面下BDD 膜的Raman 光谱 | 第43-45页 |
| ·甲烷浓度对Ti/BDD 薄膜生长的影响 | 第45-50页 |
| ·甲烷浓度对BDD 膜的形貌及其品质的影响 | 第45-47页 |
| ·不同甲烷浓度下BDD 膜的Raman 光谱 | 第47-49页 |
| ·不同甲烷流量下BDD 膜的XRD | 第49-50页 |
| ·掺硼浓度对Ti/BDD 薄膜生长的影响 | 第50-53页 |
| ·掺硼浓度对BDD 膜的形貌及其品质的影响 | 第50-51页 |
| ·不同硼浓度下BDD 膜的Raman 光谱 | 第51-53页 |
| ·不同硼浓度下BDD 膜的XRD | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 金刚石薄膜电极电化学特性 | 第55-69页 |
| ·金刚石薄膜电极的电化学性质 | 第55-57页 |
| ·金刚石膜电极的电化学特性 | 第55-57页 |
| ·金刚石膜电极的氧化性能 | 第57页 |
| ·利用循环伏安法对金刚石薄膜的研究 | 第57-64页 |
| ·循环伏安法测试体系简介 | 第57-58页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第58-59页 |
| ·实验装置及实验过程 | 第59页 |
| ·Ti/BDD 电极的电化学窗口 | 第59-63页 |
| ·Ti/BDD 电极在不同温度下的析氧电位 | 第63-64页 |
| ·不同温度下在Ti/BDD 电极上降解低浓度苯酚实验 | 第64-67页 |
| ·实验准备 | 第64-65页 |
| ·实验结果分析 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 全文总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读学位期间发表和提交的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
