摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
·纳米金刚石薄膜的特性和应用 | 第12-19页 |
·纳米金刚石膜的定义 | 第12-13页 |
·纳米金刚石薄膜的特性 | 第13-14页 |
·纳米金刚石薄膜的应用 | 第14-19页 |
·CVD 纳米金刚石薄膜的沉积机理 | 第19-24页 |
·CVD 金刚石膜沉积机理 | 第20-22页 |
·纳米金刚石膜的沉积机理 | 第22-24页 |
·CVD 纳米金刚石薄膜的制备方法 | 第24-29页 |
·沉积方法 | 第24-26页 |
·预处理方法 | 第26-27页 |
·沉积工艺参数 | 第27-29页 |
·选题背景和研究主要内容 | 第29-33页 |
·选题背景 | 第29-30页 |
·本文主要研究内容 | 第30-33页 |
第二章 实验装置及表征方法 | 第33-43页 |
·MPCVD 纳米金刚石膜沉积装置 | 第33-39页 |
·微波系统 | 第34-36页 |
·真空系统及测量系统 | 第36-38页 |
·气路系统 | 第38页 |
·水电保护系统 | 第38-39页 |
·样品表征方法 | 第39-43页 |
·光学晶相显微镜 | 第39-40页 |
·扫描电子显微镜 | 第40-41页 |
·原子力显微镜 | 第41页 |
·激光拉曼光谱 | 第41-42页 |
·X 射线衍射 | 第42-43页 |
第三章 大面积高质量纳米金刚石薄膜制备的工艺研究 | 第43-65页 |
·基片表面预处理对大面积高质量纳米金刚石薄膜的影响 | 第43-49页 |
·不同基片研磨方法 | 第44页 |
·不同研磨对薄膜表面性能的影响 | 第44-47页 |
·二次研磨工艺的选择 | 第47-49页 |
·最佳预处理工艺 | 第49页 |
·微波功率和反应气压对大面积高质量纳米金刚石薄膜的影响 | 第49-53页 |
·不同微波功率和反应气压对等离子体球的影响 | 第50-52页 |
·不同微波功率和反应气压对薄膜沉积影响机理分析 | 第52-53页 |
·基片温度对大面积高质量纳米金刚石薄膜的影响 | 第53-57页 |
·大面积高质量纳米金刚石薄膜在不同基片温度下的沉积 | 第54页 |
·基片温度对沉积薄膜的表面性能及沉积速率影响 | 第54-57页 |
·不同气源对大面积高质量纳米金刚石薄膜的影响 | 第57-63页 |
·不同气体体系沉积大面积高质量纳米金刚石薄膜 | 第57-61页 |
·不同碳源浓度沉积大面积高质量纳米金刚石薄膜 | 第61-63页 |
·本章小结 | 第63-65页 |
第四章 大面积高质量纳米金刚石薄膜的制备 | 第65-73页 |
·薄膜的制备 | 第65页 |
·生长初期薄膜的表面性能 | 第65-67页 |
·沉积所得薄膜的AFM 测试 | 第67-68页 |
·沉积所得薄膜的XRD 测试 | 第68-69页 |
·沉积所得薄膜的 Raman 测试 | 第69-70页 |
·沉积所得薄膜的平均沉积速率 | 第70-71页 |
·工艺参数总结 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-85页 |
研究生期间发表的论文 | 第85-87页 |
致谢 | 第87页 |