| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·太阳能电池的发展历程 | 第12-16页 |
| ·研究现状 | 第12-16页 |
| ·CuInS_2 薄膜材料及制备方法 | 第16-21页 |
| ·CuInS_2 薄膜材料 | 第16-17页 |
| ·CuInS_2 薄膜的制备方法 | 第17-21页 |
| ·目前存在的主要问题 | 第21页 |
| ·本文研究目的、思路及内容 | 第21-23页 |
| ·研究目的及思路 | 第21页 |
| ·论文主要内容 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 两步沉积In_2S_3/Cu_2S 复合薄膜及CuInS_2薄膜的制备和表 | 第27-45页 |
| ·序言 | 第27-28页 |
| ·实验部分 | 第28-29页 |
| ·仪器与试剂 | 第28页 |
| ·实验装置 | 第28页 |
| ·基底处理 | 第28-29页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第29页 |
| ·双重模板体系中In_2S_3、Cu_2S 薄膜的制备 | 第29-32页 |
| ·实验方法 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-32页 |
| ·In_2S_3 薄膜的表征 | 第30-31页 |
| ·Cu_2S 薄膜的表征 | 第31-32页 |
| ·本节小结 | 第32页 |
| ·In_2S_3、Cu_2S 薄膜化学法制备 | 第32-36页 |
| ·实验过程 | 第33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-36页 |
| ·In_2S_3 薄膜的表征 | 第33-35页 |
| ·Cu_2S 薄膜的表征 | 第35-36页 |
| ·CuInS_2 薄膜的制备与表征 | 第36-42页 |
| ·实验方法 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-42页 |
| ·不同硫化退火时间得到薄膜的XRD 结果分析 | 第36-38页 |
| ·不同硫化退火温度的薄膜SEM、EDS 结果 | 第38-40页 |
| ·500 ℃硫化退火薄膜TEM、HRTEM 和ED | 第40-41页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 一步沉积In_2S_3/Cu_2S 复合薄膜及CuInS_2薄膜的制备和表 | 第45-59页 |
| ·序言 | 第45-46页 |
| ·一步湿化学法制备CuInS_2 薄膜 | 第46-52页 |
| ·实验部分 | 第46-47页 |
| ·试剂与仪器 | 第46页 |
| ·实验方法 | 第46-47页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-51页 |
| ·不同硫化退火温度得到薄膜的XRD | 第47-49页 |
| ·SEM 与EDS 结果 | 第49-51页 |
| ·薄膜光学性质结果讨论 | 第51页 |
| ·本节小结 | 第51-52页 |
| ·一步化学水浴法制备CuInS_2 薄膜 | 第52-54页 |
| ·实验部分 | 第52-53页 |
| ·试剂与仪器 | 第52页 |
| ·实验方法 | 第52页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-54页 |
| ·XRD 结果 | 第53页 |
| ·形貌结果 | 第53-54页 |
| ·本节小结 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 结论与展望 | 第59-61页 |
| 主要结论 | 第59-60页 |
| 展望 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
