| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-14页 |
| ·氧化镓的发展及应用 | 第10页 |
| ·氧化镓的研究进展 | 第10页 |
| ·β-Ga_20_3 的结构和性质 | 第10-13页 |
| ·β-Ga_20_3 的结构 | 第10-11页 |
| ·Ga_20_3 的光电性质 | 第11-13页 |
| ·本课题研究的目的与内容 | 第13-14页 |
| 第二章 u 掺杂β-Ga_20_3物性研究 | 第14-25页 |
| ·β-Ga_20_3 陶瓷靶的制备 | 第14页 |
| ·β-Ga_20_3 陶瓷靶的结构和表面形貌 | 第14-15页 |
| ·第一性原理 | 第15页 |
| ·第一性原理方法 | 第15页 |
| ·密度泛函理论 | 第15页 |
| ·Cu 掺杂β-Ga_20_3 结构和光学特性理论与实验研究 | 第15-19页 |
| ·Cu 掺杂β-Ga_20_3 薄膜结构和光学性能研究 | 第15-16页 |
| ·微结构分析 | 第16页 |
| ·光学性质分析 | 第16-19页 |
| ·Cu 掺杂β-Ga_20_3 的第一性原理计算研究 | 第19-24页 |
| ·计算细节 | 第20页 |
| ·结果与讨论 | 第20-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 Si 掺杂β-Ga_20_3的物性研究 | 第25-34页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·模型构建与计算方法 | 第25-27页 |
| ·模型构建 | 第25-26页 |
| ·计算方法和参数 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-34页 |
| ·晶格参数比较与分析 | 第27-31页 |
| ·本征β-Ga_20_3 和Si 掺杂β-Ga_20_3 的光学性质 | 第31-34页 |
| 第四章 Sn 掺杂β-Ga_20_3的物性研究 | 第34-43页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·计算细节 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-43页 |
| ·几何结构 | 第36页 |
| ·电荷密度、能带结构和态密度 | 第36-40页 |
| ·光学性质 | 第40-43页 |
| 第五章 结论与展望 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第43页 |
| ·展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 在读硕士学位期间公开发表的学术论文清单 | 第52页 |
