| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·宽禁带半导体材料的兴起 | 第10-11页 |
| ·六方氮化硼的性质与研究现状 | 第11-13页 |
| ·六方氮化硼的基本性质 | 第11-12页 |
| ·h-BN 研究现状 | 第12-13页 |
| ·氮化铝(AlN)的性质及研究现状 | 第13-15页 |
| ·AlN 的基本性质 | 第13-14页 |
| ·AlN 薄膜的研究现状 | 第14-15页 |
| 本文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-22页 |
| 2 实验方法和表征手段 | 第22-32页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| ·L-MBE 装置 | 第22-24页 |
| ·L-MBE 沉积薄膜的原理 | 第24-25页 |
| ·表征手段 | 第25-29页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第25页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第25-26页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)及能谱(EDS) | 第27-28页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28页 |
| ·紫外-可见-近红外光谱仪(UV-V-NIR) | 第28-29页 |
| 本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 3 BN 薄膜的制备及性能分析 | 第32-44页 |
| ·BN 薄膜制备 | 第32-36页 |
| ·制备方法 | 第32页 |
| ·衬底选择与清洗 | 第32-33页 |
| ·实验条件的选择与优化 | 第33-36页 |
| ·BN 薄膜的表征 | 第36-40页 |
| ·XPS 表征 | 第36-37页 |
| ·Raman 谱表征 | 第37-39页 |
| ·XRD 表征 | 第39-40页 |
| ·UV-V-NIR 谱表征 | 第40页 |
| 本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 4 高质量 AlN 薄膜的制备及性能表征 | 第44-74页 |
| ·AlN 薄膜制备 | 第44-46页 |
| ·制备方法 | 第44页 |
| ·衬底选择与清洗 | 第44-46页 |
| ·实验条件选择 | 第46页 |
| ·实验参数对薄膜的影响 | 第46-65页 |
| ·衬底温度对薄膜制备的影响 | 第46-48页 |
| ·氮气压强对低温低激光能量下制备 AlN 薄膜影响 | 第48-54页 |
| ·激光能量对 AlN 薄膜制备的影响 | 第54-55页 |
| ·本底真空对 AlN 薄膜制备的影响 | 第55-56页 |
| ·氮气压强对高温高激光能量下制备 AlN 薄膜影响 | 第56-64页 |
| ·不同衬底对 AlN 薄膜制备的影响 | 第64-65页 |
| ·AlN 薄膜制备的最优条件及其性能表征 | 第65-70页 |
| ·实验条件选择及制备过程 | 第65-67页 |
| ·样品的结构和形貌表征 | 第67-68页 |
| ·样品的光学性质 | 第68页 |
| ·样品的电学性质 | 第68-70页 |
| 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 5 结论 | 第74-76页 |
| ·L-MBE 沉积过程中的分析 | 第74页 |
| ·BN 薄膜制备与表征 | 第74页 |
| ·AlN 薄膜制备与表征 | 第74-75页 |
| ·本文的创新点 | 第75页 |
| ·展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77-78页 |