| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·SiO_2研究发展现状 | 第10-11页 |
| ·国内研究现状 | 第10-11页 |
| ·国外研究现状 | 第11页 |
| ·SiO_2薄膜的研究概述 | 第11-14页 |
| ·SiO_2的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·SiO_2薄膜材料特性 | 第12-13页 |
| ·SiO_2薄膜的应用 | 第13-14页 |
| ·SiO_2薄膜的制备技术 | 第14-18页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第14-16页 |
| ·化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD) | 第16-17页 |
| ·其它SiO_2膜制备方法 | 第17-18页 |
| ·本课题的技术路线和研究内容 | 第18-19页 |
| ·工作安排 | 第19-20页 |
| 2 反应磁控溅射和反应离子束溅射沉积薄膜原理 | 第20-27页 |
| ·反应磁控溅射沉积薄膜 | 第20-23页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第20-22页 |
| ·直流反应磁控溅射的原理 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射中各因素对镀膜的影响分析 | 第23页 |
| ·离子束溅射沉积薄膜的原理 | 第23-27页 |
| ·离子束溅射的基本原理 | 第24-25页 |
| ·离子束中各工艺因素对镀膜的影响 | 第25-27页 |
| 3 制备方案及测试原理 | 第27-35页 |
| ·实验设备简介 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-30页 |
| ·磁控溅射特性试验 | 第27-29页 |
| ·离子束溅射特性试验 | 第29-30页 |
| ·制备薄膜的工艺流程 | 第30-31页 |
| ·氧气含量的计算 | 第31页 |
| ·薄膜特性测试 | 第31-35页 |
| ·椭圆偏振光谱仪测试原理 | 第31-32页 |
| ·Taylor Hobson非接触式轮廓仪测试原理 | 第32-33页 |
| ·傅里叶红外光谱测试原理 | 第33-34页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第34-35页 |
| 4 工艺参数对SiO_2薄膜性能的影响分析 | 第35-47页 |
| ·氧气对SiO_2薄膜特性的影响 | 第35-40页 |
| ·磁控溅射SiO_2薄膜光学特性 | 第35-37页 |
| ·RMS氧含量对沉积速率的影响 | 第37-38页 |
| ·离子束溅射SiO_2薄膜光学特性 | 第38-39页 |
| ·RIBS氧含量对沉积速率的影响 | 第39-40页 |
| ·靶基距对折射率和沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| ·靶基距对薄膜沉积速率的影响 | 第40页 |
| ·靶基距对薄膜折射率的影响 | 第40-41页 |
| ·改进试验参数镀膜研究 | 第41-44页 |
| ·薄膜的粗糙度 | 第44-46页 |
| ·磁控溅射制备SiO_2薄膜粗糙度 | 第44-45页 |
| ·离子束溅射制备SiO_2薄膜的粗糙度 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 5 SiO_2薄膜组成元素分析 | 第47-53页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第47-48页 |
| ·XPS测试原理 | 第47-48页 |
| ·XPS测试方法 | 第48-49页 |
| ·XPS结果分析 | 第49-53页 |
| 6 SiO_2薄膜的抗激光损伤特性 | 第53-57页 |
| ·激光损伤机理的理论研究 | 第53页 |
| ·测试方法、测试装置和损伤的判别 | 第53-55页 |
| ·测试方法 | 第53-54页 |
| ·测试装置 | 第54-55页 |
| ·损伤的判别 | 第55页 |
| ·SiO_2薄膜抗激光损伤的分析 | 第55-56页 |
| ·磁控溅射制备SiO_2薄膜的抗激光特性 | 第55-56页 |
| ·离子束溅射制备SiO_2薄膜的抗激光特性 | 第56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 7 结论 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |