| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-30页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·硅基薄膜的研究进展 | 第12-16页 |
| ·硅基薄膜的研究意义 | 第12-15页 |
| ·硅基薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第16-24页 |
| ·等离子体概述 | 第16-19页 |
| ·等离子体应用 | 第19页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积 | 第19-21页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积的应用及机理 | 第21-24页 |
| ·本文的研究内容与创新点 | 第24-27页 |
| ·本文的研究内容与结构 | 第25页 |
| ·本文的创新点 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 2 实验设计 | 第30-38页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积硅基发光薄膜实验 | 第30-33页 |
| ·实验装置与特点 | 第30-32页 |
| ·样品制备过程 | 第32-33页 |
| ·基发光薄膜的表征 | 第33-35页 |
| ·薄膜表面形貌测试 | 第33-34页 |
| ·薄膜结晶态及结晶取向测试 | 第34页 |
| ·薄膜晶格微结构观察 | 第34页 |
| ·薄膜化学键组成分析 | 第34-35页 |
| ·薄膜光致发光性质测定 | 第35页 |
| ·等离子体放电参数及发射光谱测定 | 第35-37页 |
| ·等离子体放电参数的测定 | 第35页 |
| ·等离子体发射光谱的测定 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 3 射频等离子体化学气相沉积法制备硅基发光薄膜的表征 | 第38-49页 |
| ·硅基薄膜的表面形貌SEM分析 | 第38-40页 |
| ·硅基薄膜的XRD结晶结构分析 | 第40-42页 |
| ·硅基薄膜的TEM表征及电子衍射花样分析 | 第42页 |
| ·硅基薄膜的红外吸收化学键结构分析 | 第42-44页 |
| ·硅基薄膜的光致发光特性 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 4 反应等离子体的放电特性与发射光谱诊断 | 第49-61页 |
| ·反应等离子体的电学参数测定 | 第49-53页 |
| ·介质阻挡放电特征 | 第49页 |
| ·介质阻挡放电的物理过程 | 第49-51页 |
| ·反应等离子体电学参数测定 | 第51-53页 |
| ·反应等离子体发射光谱诊断研究 | 第53-59页 |
| ·测量等离子体发射光谱的意义 | 第53-54页 |
| ·等离子体发射光谱诊断装置 | 第54页 |
| ·反应等离子体发射光谱诊断 | 第54-56页 |
| ·反应等离子体成分对于沉积薄膜成分、结构的影响 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 5 总结 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读硕士期间发表文章 | 第65页 |