| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 文献综述 | 第9-20页 |
| ·声表面波技术和声表面波器件 | 第10-14页 |
| ·SWA技术的发展 | 第10-11页 |
| ·SAW器件的原理和应用 | 第11-13页 |
| ·SAW器件的发展方向 | 第13-14页 |
| ·声表面波材料 | 第14-15页 |
| ·金刚石基压电薄膜声表面波器件研究进展 | 第15-18页 |
| ·薄膜声表面波器件 | 第15-17页 |
| ·LiNbO_3/diamond/Si多层薄膜结构研究 | 第17-18页 |
| ·制备LiNbO_3薄膜存在的问题 | 第18页 |
| ·本文的立项依据和主要工作 | 第18-20页 |
| 2 实验原理和实验过程 | 第20-27页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积简介 | 第20-21页 |
| ·PLD机制 | 第21-22页 |
| ·PLD薄膜制备系统简介 | 第22-24页 |
| ·LiNbO_3薄膜的制备工艺 | 第24-27页 |
| ·靶材的制备 | 第24-25页 |
| ·PLD制备LiNbO_3薄膜的过程 | 第25-26页 |
| ·分析表征方法 | 第26-27页 |
| 3 LiNbO_3/SiO_2/diamond/Si多层薄膜结构的制备 | 第27-48页 |
| ·缓冲层SiO_2的制备 | 第28-31页 |
| ·SiO_2薄膜的制备工艺 | 第28-29页 |
| ·SiO_2薄膜的结构表面分析 | 第29-30页 |
| ·引入缓冲层的必要性 | 第30-31页 |
| ·工艺参数对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第31-47页 |
| ·衬底温度对LiNbO_3薄膜的影响 | 第31-36页 |
| ·氧气压强对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第36-39页 |
| ·激光能量密度对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第39-42页 |
| ·靶基距对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第42-44页 |
| ·激光重复频率对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第44-45页 |
| ·SiO_2缓冲层厚度对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 4 LiNbO_3/ZnO/diamond/Si多层薄膜结构的制备 | 第48-55页 |
| ·ZnO缓冲层的制备 | 第48-50页 |
| ·ZnO缓冲层的制备工艺 | 第48-49页 |
| ·ZnO薄膜分析 | 第49-50页 |
| ·不同工艺参数对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第50-54页 |
| ·衬底温度对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第50-52页 |
| ·氧气压强对LiNbO_3薄膜质量的影响 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 5 SAW性能测试 | 第55-59页 |
| ·器件的制备 | 第55页 |
| ·测试结果及分析 | 第55-58页 |
| ·SAW性能测试一 | 第55-57页 |
| ·SAW性能测试二 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 6 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历 在校发表的论文与研究成果 | 第65页 |
